Транзистори - транзистори, транзистори MOSF - один

IXTB30N100L

частина: 1586

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1000V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 30A (Tc), Приводна напруга: 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 500mA, 20V,

IXFH32N48

частина: 2272

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 480V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 32A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 15A, 10V,

IXTN46N50L

частина: 1858

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 46A (Tc), Приводна напруга: 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 500mA, 20V,

IXFM42N20

частина: 2351

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 42A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 21A, 10V,

IXTM6N90A

частина: 6308

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 900V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 3A, 10V,

IXFN38N80Q2

частина: 2129

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 800V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 38A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 500mA, 10V,

IXTP26P20P

частина: 11995

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 26A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 13A, 10V,

IXTM10P60

частина: 2326

IXFM1633

частина: 2293

IXFT58N20Q TRL

частина: 2207

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 58A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 29A, 10V,

IXFE34N100

частина: 2001

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1000V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 30A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 17A, 10V,

IXTM9226

частина: 2340

IXFJ52N30Q

частина: 2266

IXFJ80N10Q

частина: 2182

IXFH42N20

частина: 5335

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 42A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 500mA, 10V,

IXFR21N50Q

частина: 2251

IXFD26N50Q-72

частина: 2190

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V,

IXFD80N20Q-8XQ

частина: 2271

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 200V,

IXFD23N60Q-72

частина: 2195

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V,

IXTM12N100

частина: 2317

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1000V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 12A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05 Ohm @ 6A, 10V,

IXFX32N48Q

частина: 5693

IXFR32N50

частина: 2225

IXFJ80N20Q

частина: 2195

IXFL44N80

частина: 2086

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 800V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 44A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165 mOhm @ 22A, 10V,

IXFR20N80Q

частина: 2250

IXFJ32N50

частина: 2245

IXFH67N10Q

частина: 2189

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 67A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 33.5A, 10V,

IXTM35N30

частина: 2300

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 300V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 35A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 17.5A, 10V,

IXFT26N50Q TR

частина: 6309

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 26A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 13A, 10V,

IXFK160N30T

частина: 4760

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 300V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 160A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 60A, 10V,

IXFN340N06

частина: 1951

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 340A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 100A, 10V,

IXTM5N100A

частина: 2350

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1000V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 2.5A, 10V,

T-FD28N50Q-72

частина: 2216

IXFE44N50QD2

частина: 2165

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 39A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 22A, 10V,

MKE38P600LB

частина: 2025

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 50A (Tc),

IXFM10N90

частина: 2306

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 900V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 10A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 5A, 10V,