Транзистори - транзистори, транзистори MOSF - один

IXFH15N100Q3

IXFH15N100Q3

частина: 5465

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1000V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 15A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05 Ohm @ 7.5A, 10V,

Список побажань
IXFP4N100Q

IXFP4N100Q

частина: 10756

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1000V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 2A, 10V,

Список побажань
IXTA180N10T

IXTA180N10T

частина: 16064

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 180A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4 mOhm @ 25A, 10V,

Список побажань
IXTH48P20P

IXTH48P20P

частина: 7182

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 48A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 500mA, 10V,

Список побажань
IXFX44N80P

IXFX44N80P

частина: 4345

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 800V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 44A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 22A, 10V,

Список побажань
IXTP3N120

IXTP3N120

частина: 10020

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 Ohm @ 500mA, 10V,

Список побажань
IXFP80N25X3

IXFP80N25X3

частина: 10355

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 250V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 80A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 40A, 10V,

Список побажань
IXFH120N30X3

IXFH120N30X3

частина: 2085

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 300V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 120A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 60A, 10V,

Список побажань
IXFN48N50

IXFN48N50

частина: 2915

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 48A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 500mA, 10V,

Список побажань
IXFN360N15T2

IXFN360N15T2

частина: 1980

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 150V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 310A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 60A, 10V,

Список побажань
IXTH110N10L2

IXTH110N10L2

частина: 4933

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 110A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 500mA, 10V,

Список побажань
IXTP140P05T

IXTP140P05T

частина: 10902

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 50V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 140A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 70A, 10V,

Список побажань
IXFK240N15T2

IXFK240N15T2

частина: 4298

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 150V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 240A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 60A, 10V,

Список побажань
IXFH80N65X2

IXFH80N65X2

частина: 6065

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 650V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 80A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 40A, 10V,

Список побажань
IXTA26P20P

IXTA26P20P

частина: 12299

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 26A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 13A, 10V,

Список побажань
IXTY1R6N100D2

IXTY1R6N100D2

частина: 29064

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1000V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 800mA, 0V,

Список побажань
IXFN230N20T

IXFN230N20T

частина: 2564

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 220A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 60A, 10V,

Список побажань
IXFH50N20

IXFH50N20

частина: 6554

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 50A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 25A, 10V,

Список побажань
IXTA76P10T

IXTA76P10T

частина: 13076

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 76A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 500mA, 10V,

Список побажань
IXTN5N250

IXTN5N250

частина: 1367

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 2500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8 Ohm @ 2.5A, 10V,

Список побажань
IXTH30N60L2

IXTH30N60L2

частина: 4726

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 30A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 15A, 10V,

Список побажань
IXFY26N30X3

IXFY26N30X3

частина: 4782

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 300V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 26A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66 mOhm @ 13A, 10V,

Список побажань
IXTY1R6N50D2

IXTY1R6N50D2

частина: 29105

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3 Ohm @ 800mA, 0V,

Список побажань
IXTA200N055T2

IXTA200N055T2

частина: 22368

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 200A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 50A, 10V,

Список побажань
IXFE36N100

IXFE36N100

частина: 1537

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1000V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 33A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 18A, 10V,

Список побажань
IXTN62N50L

IXTN62N50L

частина: 1470

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 62A (Tc), Приводна напруга: 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 500mA, 20V,

Список побажань
IXTH76P10T

IXTH76P10T

частина: 10468

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 76A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 500mA, 10V,

Список побажань
IXFX64N60P

IXFX64N60P

частина: 4010

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 64A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96 mOhm @ 500mA, 10V,

Список побажань
IXTP01N100D

IXTP01N100D

частина: 14895

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1000V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 Ohm @ 50mA, 0V,

Список побажань
IXTT16N20D2

IXTT16N20D2

частина: 6403

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73 mOhm @ 8A, 0V,

Список побажань
IXFH12N100

IXFH12N100

частина: 4396

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1000V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 12A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05 Ohm @ 6A, 10V,

Список побажань
IXTA80N10T

IXTA80N10T

частина: 23173

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 80A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 25A, 10V,

Список побажань
IXFN80N50P

IXFN80N50P

частина: 2885

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 66A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 500mA, 10V,

Список побажань
IXTH20P50P

IXTH20P50P

частина: 7253

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 20A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 10A, 10V,

Список побажань
IXFY30N25X3

IXFY30N25X3

частина: 4550

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 250V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 30A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 15A, 10V,

Список побажань
IXTH90P10P

IXTH90P10P

частина: 7189

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 90A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 45A, 10V,

Список побажань