Керована конфігурація: High-Side or Low-Side, Тип каналу: Single, Кількість водіїв: 1, Тип воріт: IGBT, Напруга - живлення: 4.5V ~ 12V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Synchronous, Кількість водіїв: 4, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 10.8V ~ 13.2V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: 3-Phase, Кількість водіїв: 6, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 7V ~ 15V, Логічна напруга - VIL, VIH: 1V, 2.5V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Synchronous, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 10.8V ~ 13.2V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Synchronous, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 7V ~ 13.2V,
Керована конфігурація: High-Side or Low-Side, Тип каналу: Single, Кількість водіїв: 1, Тип воріт: IGBT, Напруга - живлення: 4.5V ~ 16.5V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
Керована конфігурація: Low-Side, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: N-Channel, P-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4.5V ~ 16V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
Керована конфігурація: Low-Side, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: N-Channel, P-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4.5V ~ 18V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
Керована конфігурація: Low-Side, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4.5V ~ 16V, Логічна напруга - VIL, VIH: 1.85V, 3.15V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Synchronous, Кількість водіїв: 4, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4.5V ~ 5.5V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Synchronous, Кількість водіїв: 4, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 9.5V ~ 15V, Логічна напруга - VIL, VIH: 1V, 2.5V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 4, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 9.5V ~ 15V, Логічна напруга - VIL, VIH: 1V, 2.5V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Synchronous, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4.5V ~ 5.5V,
Керована конфігурація: Low-Side, Тип каналу: Single, Кількість водіїв: 1, Тип воріт: N-Channel, P-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4.5V ~ 16V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
Керована конфігурація: High-Side or Low-Side, Тип каналу: Synchronous, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: IGBT, N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4.5V ~ 16V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.6V, 2.4V,
Керована конфігурація: Low-Side, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: N-Channel, P-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4.5V ~ 15V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
Керована конфігурація: High-Side or Low-Side, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 4, Тип воріт: N-Channel, P-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4.5V ~ 18V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
Керована конфігурація: High-Side or Low-Side, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4.5V ~ 15V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
Керована конфігурація: High-Side, Тип каналу: 3-Phase, Кількість водіїв: 3, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 7V ~ 15V, Логічна напруга - VIL, VIH: 1V, 2.5V,
Керована конфігурація: Low-Side, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4.5V ~ 16V, Логічна напруга - VIL, VIH: 1.22V, 2.08V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 9V ~ 14V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,
