Вихідна конфігурація: Half Bridge (2), Програми: Digital Imaging, Інтерфейс: Logic, Тип навантаження: Capacitive and Resistive, Технологія: Power MOSFET, Rds On (тип): 3 Ohm,
Вихідна конфігурація: Half Bridge (2), Програми: Digital Imaging, Інтерфейс: Logic, Тип навантаження: Capacitive and Resistive, Технологія: Power MOSFET, Rds On (тип): 3 Ohm,
Вихідна конфігурація: Half Bridge (2), Програми: Digital Imaging, Інтерфейс: Logic, Тип навантаження: Capacitive and Resistive, Технологія: Power MOSFET, Rds On (тип): 3 Ohm,
Вихідна конфігурація: Half Bridge (2), Програми: Digital Imaging, Інтерфейс: Logic, Тип навантаження: Capacitive and Resistive, Технологія: Power MOSFET, Rds On (тип): 3 Ohm,
Вихідна конфігурація: Half Bridge (2), Програми: Digital Imaging, Інтерфейс: Logic, Тип навантаження: Capacitive and Resistive, Технологія: Power MOSFET, Rds On (тип): 3 Ohm,
Вихідна конфігурація: Half Bridge (2), Програми: Digital Imaging, Інтерфейс: Logic, Тип навантаження: Capacitive and Resistive, Технологія: Power MOSFET, Rds On (тип): 3 Ohm,
Вихідна конфігурація: Half Bridge (2), Програми: Digital Imaging, Інтерфейс: Logic, Тип навантаження: Capacitive and Resistive, Технологія: Power MOSFET, Rds On (тип): 3 Ohm,
Вихідна конфігурація: Half Bridge (2), Програми: Digital Imaging, Інтерфейс: Logic, Тип навантаження: Capacitive and Resistive, Технологія: Power MOSFET, Rds On (тип): 3 Ohm,
Вихідна конфігурація: Half Bridge (2), Програми: Digital Imaging, Інтерфейс: Logic, Тип навантаження: Capacitive and Resistive, Технологія: Power MOSFET, Rds On (тип): 3 Ohm,
Вихідна конфігурація: Half Bridge (2), Програми: Digital Imaging, Інтерфейс: Logic, Тип навантаження: Capacitive and Resistive, Технологія: Power MOSFET, Rds On (тип): 3 Ohm,
