Транзистори - транзистори, транзистори MOSF - один

IRFI1310NPBF

частина: 38211

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 24A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 13A, 10V,

IRFS7540PBF

частина: 31203

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 110A (Tc), Приводна напруга: 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1 mOhm @ 65A, 10V,

IPB60R190P6ATMA1

частина: 55807

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 20.2A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 7.6A, 10V,

SPI20N60C3HKSA1

частина: 6261

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 20.7A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 13.1A, 10V,

IRF6810STR1PBF

частина: 1783

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 25V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 16A (Ta), 50A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 16A, 10V,

IRFS7537PBF

частина: 49674

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 173A (Tc), Приводна напруга: 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 100A, 10V,

IPD60R520C6ATMA1

частина: 116185

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8.1A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520 mOhm @ 2.8A, 10V,

IRL1404ZSTRLPBF

частина: 57630

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 75A, 10V,

IPU80R1K4CEBKMA1

частина: 1914

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 800V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.9A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 2.3A, 10V,

IPD25N06S4L30ATMA1

частина: 1995

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 25A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 25A, 10V,

IRFR7546PBF

частина: 69084

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 56A (Tc), Приводна напруга: 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9 mOhm @ 43A, 10V,

IPP60R230P6XKSA1

частина: 49186

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 16.8A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 6.4A, 10V,

SIPC26N60S5X1SA1

частина: 1941

IRFS7534-7PPBF

частина: 16794

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 240A (Tc), Приводна напруга: 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95 mOhm @ 100A, 10V,

IPU60R2K0C6BKMA1

частина: 1763

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.4A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 760mA, 10V,

IPD60R800CEATMA1

частина: 159154

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.6A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 2A, 10V,

IPP65R099C6XKSA1

частина: 17596

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 650V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 38A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99 mOhm @ 12.8A, 10V,

IPD65R380C6ATMA1

частина: 93069

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 650V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 10.6A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 3.2A, 10V,

IPA80R650CEXKSA1

частина: 1957

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 800V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.5A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 5.1A, 10V,

IPD60R650CEBTMA1

частина: 165990

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 7A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 2.4A, 10V,

IRF6619TR1PBF

частина: 43315

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 30A (Ta), 150A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 30A, 10V,

IPU60R950C6BKMA1

частина: 1807

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.4A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 1.5A, 10V,

IPLU300N04S4R8XTMA1

частина: 28912

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 300A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.77 mOhm @ 100A, 10V,

IRFS38N20DTRLP

частина: 43962

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 43A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54 mOhm @ 26A, 10V,

IRFH7882TRPBF

частина: 2020

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 80V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 26A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 50A, 10V,

IRF6728MTR1PBF

частина: 1830

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 23A (Ta), 140A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 23A, 10V,

IPB044N15N5ATMA1

частина: 19317

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 150V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 174A (Tc), Приводна напруга: 8V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 87A, 10V,

IPP057N06N3GHKSA1

частина: 1989

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 80A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 80A, 10V,

IPP17N25S3100AKSA1

частина: 53860

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 250V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 17A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 17A, 10V,

IRFH4226TRPBF

частина: 1848

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 25V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 30A (Ta), 70A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 30A, 10V,

IPP040N06N3GHKSA1

частина: 2023

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 90A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 90A, 10V,

IPP35CN10NGXKSA1

частина: 2012

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 27A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 27A, 10V,

IPU50R2K0CEBKMA1

частина: 155871

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.4A (Tc), Приводна напруга: 13V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 600mA, 13V,

IRFS7734-7PPBF

частина: 23052

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 75V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 197A (Tc), Приводна напруга: 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.05 mOhm @ 100A, 10V,

SPP20N60CFDHKSA1

частина: 2039

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 650V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 20.7A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 13.1A, 10V,

IPP075N15N3GHKSA1

частина: 1992

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 150V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100A (Tc), Приводна напруга: 8V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 100A, 10V,