Транзистори - транзистори, транзистори MOSF - один

IRFB42N20DPBF

частина: 21953

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 44A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 26A, 10V,

IPC60R280E6UNSAWNX6SA1

частина: 6256

IPS050N03LGBKMA1

частина: 2175

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 50A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 30A, 10V,

IPC90R800C3X1SA1

частина: 54583

IPS80R600P7AKMA1

частина: 40043

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 800V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3.4A, 10V,

IPB04N03LAT

частина: 2375

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 25V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 80A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 55A, 10V,

IRL3705NSTRLPBF

частина: 60611

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 89A (Tc), Приводна напруга: 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 46A, 10V,

IPP048N12N3GXKSA1

частина: 6253

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 120V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 100A, 10V,

IRFC4127ED

частина: 2120

IPD50R520CPBTMA1

частина: 102116

IRLR2905ZPBF

частина: 65994

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 42A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 36A, 10V,

IRFI1010NPBF

частина: 37816

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 49A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 26A, 10V,

IRFI4228PBF

частина: 24384

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 150V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 34A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 20A, 10V,

IRF1405ZLPBF

частина: 21340

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 75A, 10V,

IPZ60R037P7XKSA1

частина: 5690

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 650V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 76A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 29.5A, 10V,

IRFC4368D

частина: 2108

IPT012N08N5ATMA1

частина: 18959

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 80V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 300A (Tc), Приводна напруга: 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 mOhm @ 150A, 10V,

IPC60R380C6X7SA1

частина: 2250

IPSA70R450P7SAKMA1

частина: 7864

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 700V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 10A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 2.3A, 10V,

IRF7324D1TRPBF

частина: 78761

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.2A (Ta), Приводна напруга: 2.7V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 1.2A, 4.5V,

IRL7833STRLPBF

частина: 76525

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 150A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 38A, 10V,

IRLR3105TRPBF

частина: 178996

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 25A (Tc), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 15A, 10V,

IRF640NLPBF

частина: 39242

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 18A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 11A, 10V,

IRLR2908TRPBF

частина: 146805

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 80V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 30A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 23A, 10V,

IPC60N04S406ATMA1

частина: 2054

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 60A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 30A, 10V,

IPC95R1K2P7X7SA1

частина: 6331

IPP70P04P409AKSA1

частина: 2117

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 72A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4 mOhm @ 70A, 10V,

SPP06N80C3XK

частина: 2345

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 800V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 3.8A, 10V,

IPI80N07S405AKSA1

частина: 2309

IRFR7540PBF

частина: 39033

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 90A (Tc), Приводна напруга: 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 66A, 10V,

IRF6215PBF

частина: 47258

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 150V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 13A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 6.6A, 10V,

IPP072N10N3GXKSA1

частина: 39881

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 80A (Tc), Приводна напруга: 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2 mOhm @ 80A, 10V,

IPD60R450E6ATMA1

частина: 101179

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 9.2A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 3.4A, 10V,

IPB65R225C7ATMA1

частина: 51664

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 650V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 11A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225 mOhm @ 4.8A, 10V,

IRFP4710PBF

частина: 22592

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 72A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 45A, 10V,

IPP093N06N3GHKSA1

частина: 1979

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 50A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3 mOhm @ 50A, 10V,