Транзистори - транзистори, транзистори MOSF - один

IRFR5305PBF

частина: 64313

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 31A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 16A, 10V,

IPW60R165CPFKSA1

частина: 25

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 21A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165 mOhm @ 12A, 10V,

IRFS4228PBF

частина: 13910

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 150V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 83A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 33A, 10V,

IPW90R800C3FKSA1

частина: 125

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 900V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6.9A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 4.1A, 10V,

IPP65R310CFDXKSA1

частина: 58

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 650V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 11.4A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310 mOhm @ 4.4A, 10V,

IRFB7430GPBF

частина: 15134

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 195A (Tc), Приводна напруга: 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3 mOhm @ 100A, 10V,

IPD180N10N3GBTMA1

частина: 162

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 43A (Tc), Приводна напруга: 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 33A, 10V,

IRF6646TRPBF

частина: 67697

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 80V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 12A (Ta), 68A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 12A, 10V,

IPP65R125C7XKSA1

частина: 13842

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 650V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 18A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 8.9A, 10V,

SPU02N60C3BKMA1

частина: 64295

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 650V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1.8A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.1A, 10V,

IPA60R060P7XKSA1

частина: 9816

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 48A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 15.9A, 10V,

IRFR9024NPBF

частина: 73234

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 11A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 6.6A, 10V,

IPAN80R360P7XKSA1

частина: 41782

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 800V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 13A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 5.6A, 10V,

IPA50R950CEXKSA2

частина: 86199

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.7A (Tc), Приводна напруга: 13V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 1.2A, 13V,

IRFR220NPBF

частина: 74003

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 2.9A, 10V,

IPI80N06S405AKSA2

частина: 79084

IPW65R041CFDFKSA1

частина: 255

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 650V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 68.5A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41 mOhm @ 33.1A, 10V,

IRLR3410PBF

частина: 69104

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 17A (Tc), Приводна напруга: 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 10A, 10V,

IRL7833PBF

частина: 38788

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 150A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 38A, 10V,

IPP60R600P7XKSA1

частина: 44162

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 650V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 1.7A, 10V,

IPA105N15N3GXKSA1

частина: 592

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 150V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 37A (Tc), Приводна напруга: 8V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 37A, 10V,

IPZA60R099P7XKSA1

частина: 1323

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 31A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99 mOhm @ 10.5A, 10V,

IRFZ46NPBF

частина: 63173

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 53A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5 mOhm @ 28A, 10V,

IRFSL7787PBF

частина: 40975

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 75V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 76A (Tc), Приводна напруга: 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4 mOhm @ 46A, 10V,

IRFR6215PBF

частина: 49912

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 150V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 13A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295 mOhm @ 6.6A, 10V,

SPA07N60C3XKSA1

частина: 1191

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 650V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 7.3A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 4.6A, 10V,

IPW65R110CFDAFKSA1

частина: 12203

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 650V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 31.2A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 12.7A, 10V,

IRFB33N15DPBF

частина: 35790

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 150V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 33A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56 mOhm @ 20A, 10V,

IRF7494TR

частина: 2952

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 150V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.2A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44 mOhm @ 3.1A, 10V,

IPW50R140CPFKSA1

частина: 1460

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 550V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 23A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 14A, 10V,

IRF3709SPBF

частина: 30145

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 90A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 15A, 10V,

IRF250P225

частина: 10095

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 250V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 69A (Tc), Приводна напруга: 10V,

IPW60R160P6FKSA1

частина: 19213

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 23.8A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 9A, 10V,

IPP093N06N3GXKSA1

частина: 56776

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 50A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3 mOhm @ 50A, 10V,

IRFB7534PBF

частина: 29620

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 195A (Tc), Приводна напруга: 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 100A, 10V,

IRFSL3306PBF

частина: 25869

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 120A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 75A, 10V,