Транзистори - транзистори, транзистори MOSF - один

BSZ040N06LS5ATMA1

частина: 122803

BSO033N03MSGXUMA1

частина: 170328

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 17A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 22A, 10V,

BSZ150N10LS3GATMA1

частина: 124638

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 40A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 20A, 10V,

BSC098N10NS5ATMA1

частина: 119246

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 60A (Tc), Приводна напруга: 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8 mOhm @ 30A, 10V,

BSZ070N08LS5ATMA1

частина: 125048

BSZ0501NSIATMA1

частина: 121029

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 25A (Ta), 40A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 mOhm @ 20A, 10V,

BSF450NE7NH3XUMA1

частина: 129926

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 75V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5A (Ta), 15A (Tc), Приводна напруга: 7V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 8A, 10V,

BSZ240N12NS3GATMA1

частина: 5825

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 120V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 37A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 20A, 10V,

BSZ017NE2LS5IATMA1

частина: 123825

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 25V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 27A (Ta), 40A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 20A, 10V,

BSZ160N10NS3GATMA1

частина: 131224

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8A (Ta), 40A (Tc), Приводна напруга: 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 20A, 10V,

BSO130P03SHXUMA1

частина: 7671

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 9.2A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 11.7A, 10V,

BSC0501NSIATMA1

частина: 132035

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 29A (Ta), 100A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9 mOhm @ 30A, 10V,

BSZ146N10LS5ATMA1

частина: 129728

BSC067N06LS3GATMA1

частина: 160453

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 15A (Ta), 50A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7 mOhm @ 50A, 10V,

BSC026N04LSATMA1

частина: 131792

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 23A (Ta), 100A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 50A, 10V,

BSC109N10NS3GATMA1

частина: 128560

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 63A (Tc), Приводна напруга: 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9 mOhm @ 46A, 10V,

BSC018NE2LSIATMA1

частина: 7692

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 25V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 29A (Ta), 100A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 mOhm @ 30A, 10V,

BSP613PH6327XTSA1

частина: 147506

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.9A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 2.9A, 10V,

BSC117N08NS5ATMA1

частина: 146003

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 80V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 49A (Tc), Приводна напруга: 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7 mOhm @ 25A, 10V,

BSC018NE2LSATMA1

частина: 134569

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 25V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 29A (Ta), 100A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 mOhm @ 30A, 10V,

BSZ084N08NS5ATMA1

частина: 141966

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 80V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 40A (Tc), Приводна напруга: 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4 mOhm @ 20A, 10V,

BSC020N03LSGATMA2

частина: 130380

BSC076N06NS3GATMA1

частина: 177568

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 50A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6 mOhm @ 50A, 10V,

BSP135H6433XTMA1

частина: 131766

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 120mA (Ta), Приводна напруга: 0V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 Ohm @ 120mA, 10V,

BSO040N03MSGXUMA1

частина: 189300

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 16A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 20A, 10V,

BSZ035N03LSGATMA1

частина: 158467

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 20A (Ta), 40A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 20A, 10V,

BSC0901NSIATMA1

частина: 7619

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 28A (Ta), 100A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 mOhm @ 30A, 10V,

BSO203SPHXUMA1

частина: 7648

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 7A (Ta), Приводна напруга: 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8.9A, 4.5V,

BSC0502NSIATMA1

частина: 147317

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 26A (Ta), 100A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3 mOhm @ 30A, 10V,

BSC065N06LS5ATMA1

частина: 148270

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 64A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 32A, 10V,

BSZ123N08NS3GATMA1

частина: 7599

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 80V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 10A (Ta), 40A (Tc), Приводна напруга: 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3 mOhm @ 20A, 10V,

BSZ0901NSIATMA1

частина: 7623

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 25A (Ta), 40A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1 mOhm @ 20A, 10V,

BSZ0502NSIATMA1

частина: 144059

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 22A (Ta), 40A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 20A, 10V,

BSZ028N04LSATMA1

частина: 147502

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 21A (Ta), 40A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 20A, 10V,

BSC032N04LSATMA1

частина: 155475

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 21A (Ta), 98A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 50A, 10V,

BSZ076N06NS3GATMA1

частина: 158939

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 20A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6 mOhm @ 20A, 10V,