Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 35A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 19A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 33A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 12A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 25V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 16A (Ta), 40A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 20A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 20A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 20A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 25V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 33A (Ta), 100A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 mOhm @ 30A, 10V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 540mA (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 270mA, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 150V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 9A (Ta), 45A (Tc), Приводна напруга: 8V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5 mOhm @ 30A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.3A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 2.3A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100A (Tc), Приводна напруга: 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45 mOhm @ 50A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 37A (Ta), 100A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05 mOhm @ 50A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.3A (Ta), 18A (Tc), Приводна напруга: 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44 mOhm @ 12A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 11A (Ta), 20A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 20A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100A (Tc), Приводна напруга: 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 50A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8.8A (Ta), 42A (Tc), Приводна напруга: 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 33A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 150V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 87A (Tc), Приводна напруга: 8V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3 mOhm @ 44A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 30A (Ta), 100A (Tc), Приводна напруга: 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45 mOhm @ 50A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 11.4A (Ta), 90A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 50A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 230mA (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 230mA, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 36A (Ta), 180A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 mOhm @ 30A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 25V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 39A (Ta), 58A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 30A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 18A (Ta), 40A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 20A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 80V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 18A (Ta), 90A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 30A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 150V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 76A (Tc), Приводна напруга: 8V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 38A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 250V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 25A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 25A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100A (Tc), Приводна напруга: 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 50A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 300V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 16A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 16A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 250V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 24A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67 mOhm @ 24A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 17A (Ta), 100A (Tc), Приводна напруга: 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 50A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 80V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 23A (Ta), 100A (Tc), Приводна напруга: 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 50A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 35A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 35A, 10V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 150mA (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 150mA, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 36A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 36A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 150V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 50A (Tc), Приводна напруга: 8V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 50A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 19A (Ta), 100A (Tc), Приводна напруга: 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 50A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 80V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 18A (Ta), 100A (Tc), Приводна напруга: 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 50A, 10V,
