Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Діоди - Випрямлячі - одинарні

  • Додому
  •  
  • Діоди - Випрямлячі - одинарні
1N3889
GeneSiC Semiconductor

1N3889

частина: 12061

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 50V, Струм - середній випрямлений (Io): 12A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.4V @ 12A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 200ns,

Список побажань
1N3893R
GeneSiC Semiconductor

1N3893R

частина: 9557

Тип діода: Standard, Reverse Polarity, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Io): 12A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.4V @ 12A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 200ns,

Список побажань
1N1188R
GeneSiC Semiconductor

1N1188R

частина: 14337

Тип діода: Standard, Reverse Polarity, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 400V, Струм - середній випрямлений (Io): 35A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 35A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
1N2131AR
GeneSiC Semiconductor

1N2131AR

частина: 7092

Тип діода: Standard, Reverse Polarity, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Струм - середній випрямлений (Io): 60A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.1V @ 60A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
1N1200A
GeneSiC Semiconductor

1N1200A

частина: 15967

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 100V, Струм - середній випрямлений (Io): 12A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.1V @ 12A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
1N1190AR
GeneSiC Semiconductor

1N1190AR

частина: 10679

Тип діода: Standard, Reverse Polarity, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Io): 40A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.1V @ 40A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
1N1190A
GeneSiC Semiconductor

1N1190A

частина: 11089

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Io): 40A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.1V @ 40A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
1N2138AR
GeneSiC Semiconductor

1N2138AR

частина: 7743

Тип діода: Standard, Reverse Polarity, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Io): 60A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.1V @ 60A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
1N1186A
GeneSiC Semiconductor

1N1186A

частина: 11112

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Струм - середній випрямлений (Io): 40A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.1V @ 40A,

Список побажань
1N3768R
GeneSiC Semiconductor

1N3768R

частина: 7145

Тип діода: Standard, Reverse Polarity, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 1000V, Струм - середній випрямлений (Io): 35A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 35A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
1N2130AR
GeneSiC Semiconductor

1N2130AR

частина: 10388

Тип діода: Standard, Reverse Polarity, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 150V, Струм - середній випрямлений (Io): 60A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.1V @ 60A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
1N3892
GeneSiC Semiconductor

1N3892

частина: 11891

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 400V, Струм - середній випрямлений (Io): 12A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.4V @ 12A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 200ns,

Список побажань
1N3879
GeneSiC Semiconductor

1N3879

частина: 12395

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 50V, Струм - середній випрямлений (Io): 6A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.4V @ 6A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 200ns,

Список побажань
1N3881R
GeneSiC Semiconductor

1N3881R

частина: 11499

Тип діода: Standard, Reverse Polarity, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Струм - середній випрямлений (Io): 6A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.4V @ 6A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 200ns,

Список побажань
1N3881
GeneSiC Semiconductor

1N3881

частина: 12277

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Струм - середній випрямлений (Io): 6A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.4V @ 6A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 200ns,

Список побажань
1N3883
GeneSiC Semiconductor

1N3883

частина: 9906

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 400V, Струм - середній випрямлений (Io): 6A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.4V @ 6A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 200ns,

Список побажань
1N3879R
GeneSiC Semiconductor

1N3879R

частина: 15729

Тип діода: Standard, Reverse Polarity, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 50V, Струм - середній випрямлений (Io): 6A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.4V @ 6A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 200ns,

Список побажань
1N3892R
GeneSiC Semiconductor

1N3892R

частина: 11929

Тип діода: Standard, Reverse Polarity, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 400V, Струм - середній випрямлений (Io): 12A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.4V @ 12A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 200ns,

Список побажань
1N3883R
GeneSiC Semiconductor

1N3883R

частина: 9515

Тип діода: Standard, Reverse Polarity, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 400V, Струм - середній випрямлений (Io): 6A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.4V @ 6A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 200ns,

Список побажань
1N8035-GA
GeneSiC Semiconductor

1N8035-GA

частина: 457

Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 650V, Струм - середній випрямлений (Io): 14.6A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.5V @ 15A, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,

Список побажань
1N8034-GA
GeneSiC Semiconductor

1N8034-GA

частина: 435

Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 650V, Струм - середній випрямлений (Io): 9.4A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.34V @ 10A, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,

Список побажань
1N8028-GA
GeneSiC Semiconductor

1N8028-GA

частина: 456

Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 1200V, Струм - середній випрямлений (Io): 9.4A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.6V @ 10A, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,

Список побажань
1N8031-GA
GeneSiC Semiconductor

1N8031-GA

частина: 472

Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 650V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.5V @ 1A, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,

Список побажань
1N3889R
GeneSiC Semiconductor

1N3889R

частина: 12088

Тип діода: Standard, Reverse Polarity, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 50V, Струм - середній випрямлений (Io): 12A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.4V @ 12A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 200ns,

Список побажань
1N8033-GA
GeneSiC Semiconductor

1N8033-GA

частина: 413

Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 650V, Струм - середній випрямлений (Io): 4.3A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.65V @ 5A, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,

Список побажань
MBR3530R
GeneSiC Semiconductor

MBR3530R

частина: 5706

Тип діода: Schottky, Reverse Polarity, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 30V, Струм - середній випрямлений (Io): 35A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 680mV @ 35A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
SD4145R
GeneSiC Semiconductor

SD4145R

частина: 6557

Тип діода: Schottky, Reverse Polarity, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 45V, Струм - середній випрямлений (Io): 30A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 680mV @ 30A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
S40MR
GeneSiC Semiconductor

S40MR

частина: 9616

Тип діода: Standard, Reverse Polarity, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 1000V, Струм - середній випрямлений (Io): 40A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.1V @ 40A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
S150Q
GeneSiC Semiconductor

S150Q

частина: 2529

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 1200V, Струм - середній випрямлений (Io): 150A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 150A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBR8060R
GeneSiC Semiconductor

MBR8060R

частина: 5428

Тип діода: Schottky, Reverse Polarity, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 60V, Струм - середній випрямлений (Io): 80A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 750mV @ 80A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBR6035
GeneSiC Semiconductor

MBR6035

частина: 5414

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 35V, Струм - середній випрямлений (Io): 60A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 650mV @ 60A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBRH12030
GeneSiC Semiconductor

MBRH12030

частина: 2907

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 30V, Струм - середній випрямлений (Io): 120A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 650mV @ 120A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
S300B
GeneSiC Semiconductor

S300B

частина: 2041

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 100V, Струм - середній випрямлений (Io): 300A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 300A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
S380ZR
GeneSiC Semiconductor

S380ZR

частина: 2007

Тип діода: Standard, Reverse Polarity, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 2000V, Струм - середній випрямлений (Io): 380A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 380A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
FR12DR05
GeneSiC Semiconductor

FR12DR05

частина: 16846

Тип діода: Standard, Reverse Polarity, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Струм - середній випрямлений (Io): 12A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 800mV @ 12A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 500ns,

Список побажань
MURH7010
GeneSiC Semiconductor

MURH7010

частина: 31

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 100V, Струм - середній випрямлений (Io): 70A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1V @ 70A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 75ns,

Список побажань