Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Діоди - Випрямлячі - одинарні

  • Додому
  •  
  • Діоди - Випрямлячі - одинарні
1N1184AR
GeneSiC Semiconductor

1N1184AR

частина: 15082

Тип діода: Standard, Reverse Polarity, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 100V, Струм - середній випрямлений (Io): 40A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.1V @ 40A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
1N3295A
GeneSiC Semiconductor

1N3295A

частина: 3423

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 1000V, Струм - середній випрямлений (Io): 100A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.5V @ 100A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
1N1189R
GeneSiC Semiconductor

1N1189R

частина: 63

Тип діода: Standard, Reverse Polarity, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Io): 35A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 35A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
1N6095
GeneSiC Semiconductor

1N6095

частина: 5630

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 30V, Струм - середній випрямлений (Io): 25A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 580mV @ 25A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
1N4588R
GeneSiC Semiconductor

1N4588R

частина: 3431

Тип діода: Standard, Reverse Polarity, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Струм - середній випрямлений (Io): 150A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.5V @ 150A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
1N3882R
GeneSiC Semiconductor

1N3882R

частина: 13616

Тип діода: Standard, Reverse Polarity, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 300V, Струм - середній випрямлений (Io): 6A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.4V @ 6A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 200ns,

Список побажань
1N3296AR
GeneSiC Semiconductor

1N3296AR

частина: 3451

Тип діода: Standard, Reverse Polarity, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 1200V, Струм - середній випрямлений (Io): 100A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.5V @ 100A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
1N2129A
GeneSiC Semiconductor

1N2129A

частина: 10804

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 100V, Струм - середній випрямлений (Io): 60A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.1V @ 60A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
1N6097
GeneSiC Semiconductor

1N6097

частина: 5607

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 30V, Струм - середній випрямлений (Io): 50A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 700mV @ 50A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
1N3212
GeneSiC Semiconductor

1N3212

частина: 14924

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 400V, Струм - середній випрямлений (Io): 15A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.5V @ 15A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
1N3765R
GeneSiC Semiconductor

1N3765R

частина: 9630

Тип діода: Standard, Reverse Polarity, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 700V, Струм - середній випрямлений (Io): 35A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 35A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
1N1190
GeneSiC Semiconductor

1N1190

частина: 10824

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Io): 35A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 35A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
1N3766R
GeneSiC Semiconductor

1N3766R

частина: 9633

Тип діода: Standard, Reverse Polarity, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 800V, Струм - середній випрямлений (Io): 35A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 35A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
1N5833R
GeneSiC Semiconductor

1N5833R

частина: 5570

Тип діода: Schottky, Reverse Polarity, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 30V, Струм - середній випрямлений (Io): 40A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 550mV @ 40A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
1N1186
GeneSiC Semiconductor

1N1186

частина: 13872

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Струм - середній випрямлений (Io): 35A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 35A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
1N4588
GeneSiC Semiconductor

1N4588

частина: 3389

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Струм - середній випрямлений (Io): 150A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.5V @ 150A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
1N3671A
GeneSiC Semiconductor

1N3671A

частина: 13788

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 800V, Струм - середній випрямлений (Io): 12A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.1V @ 12A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
1N3890
GeneSiC Semiconductor

1N3890

частина: 15975

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 100V, Струм - середній випрямлений (Io): 12A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.4V @ 12A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 200ns,

Список побажань
1N5832R
GeneSiC Semiconductor

1N5832R

частина: 5637

Тип діода: Schottky, Reverse Polarity, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 20V, Струм - середній випрямлений (Io): 40A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 520mV @ 40A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
150KR20A
GeneSiC Semiconductor

150KR20A

частина: 3465

Тип діода: Standard, Reverse Polarity, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Струм - середній випрямлений (Io): 150A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.33V @ 150A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
1N3210R
GeneSiC Semiconductor

1N3210R

частина: 14992

Тип діода: Standard, Reverse Polarity, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Струм - середній випрямлений (Io): 15A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.5V @ 15A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
1N1189
GeneSiC Semiconductor

1N1189

частина: 11471

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Io): 35A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 35A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
1N3296A
GeneSiC Semiconductor

1N3296A

частина: 3452

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 1200V, Струм - середній випрямлений (Io): 100A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.5V @ 100A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
1N6096R
GeneSiC Semiconductor

1N6096R

частина: 5597

Тип діода: Schottky, Reverse Polarity, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 40V, Струм - середній випрямлений (Io): 25A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 580mV @ 25A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
1N5826
GeneSiC Semiconductor

1N5826

частина: 5569

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 20V, Струм - середній випрямлений (Io): 15A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 440mV @ 15A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
1N5826R
GeneSiC Semiconductor

1N5826R

частина: 5576

Тип діода: Schottky, Reverse Polarity, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 20V, Струм - середній випрямлений (Io): 15A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 440mV @ 15A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
1N1187
GeneSiC Semiconductor

1N1187

частина: 14520

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 300V, Струм - середній випрямлений (Io): 35A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 35A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
1N5827R
GeneSiC Semiconductor

1N5827R

частина: 5573

Тип діода: Schottky, Reverse Polarity, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 30V, Струм - середній випрямлений (Io): 15A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 470mV @ 15A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
1N3289AR
GeneSiC Semiconductor

1N3289AR

частина: 3442

Тип діода: Standard, Reverse Polarity, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Струм - середній випрямлений (Io): 100A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.5V @ 100A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
1N3208
GeneSiC Semiconductor

1N3208

частина: 10062

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 50V, Струм - середній випрямлений (Io): 15A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.5V @ 15A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
1N4593R
GeneSiC Semiconductor

1N4593R

частина: 3446

Тип діода: Standard, Reverse Polarity, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 800V, Струм - середній випрямлений (Io): 150A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.5V @ 150A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
1N5833
GeneSiC Semiconductor

1N5833

частина: 5595

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 30V, Струм - середній випрямлений (Io): 40A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 550mV @ 40A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
1N3212R
GeneSiC Semiconductor

1N3212R

частина: 13593

Тип діода: Standard, Reverse Polarity, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 400V, Струм - середній випрямлений (Io): 15A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.5V @ 15A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
1N8032-GA
GeneSiC Semiconductor

1N8032-GA

частина: 411

Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 650V, Струм - середній випрямлений (Io): 2.5A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.3V @ 2.5A, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,

Список побажань
1N3765
GeneSiC Semiconductor

1N3765

частина: 9603

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 700V, Струм - середній випрямлений (Io): 35A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 35A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
1N2130A
GeneSiC Semiconductor

1N2130A

частина: 13757

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 150V, Струм - середній випрямлений (Io): 60A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.1V @ 60A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Список побажань