Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Діоди - Випрямлячі - Масиви

  • Додому
  •  
  • Діоди - Випрямлячі - Масиви
MBR40035CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR40035CTR

частина: 1389

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Anode, Тип діода: Schottky, Reverse Polarity, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 35V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 400A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 700mV @ 200A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBR400150CT
GeneSiC Semiconductor

MBR400150CT

частина: 1554

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 150V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 200A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 880mV @ 200A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBRT60030
GeneSiC Semiconductor

MBRT60030

частина: 891

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 30V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 600A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 750mV @ 300A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MUR10020CTR
GeneSiC Semiconductor

MUR10020CTR

частина: 1535

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Anode, Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 100A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.3V @ 50A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBR12045CT
GeneSiC Semiconductor

MBR12045CT

частина: 1536

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 45V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 120A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 650mV @ 60A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBRT60080
GeneSiC Semiconductor

MBRT60080

частина: 897

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 80V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 600A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 880mV @ 300A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBR2X120A120
GeneSiC Semiconductor

MBR2X120A120

частина: 3151

Конфігурація діодів: 2 Independent, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 120V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 120A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 880mV @ 120A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBR20035CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR20035CTR

частина: 1554

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Anode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 35V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 200A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 650mV @ 100A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MURT40040
GeneSiC Semiconductor

MURT40040

частина: 880

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 400V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 400A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.35V @ 200A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBR60030CT
GeneSiC Semiconductor

MBR60030CT

частина: 983

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 30V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 300A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 750mV @ 300A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBR2X050A180
GeneSiC Semiconductor

MBR2X050A180

частина: 3596

Конфігурація діодів: 2 Independent, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 180V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 50A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 920mV @ 50A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MURTA30040R
GeneSiC Semiconductor

MURTA30040R

частина: 935

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Anode, Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 400V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 150A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.3V @ 150A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBR600200CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR600200CTR

частина: 956

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Anode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 300A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 920mV @ 300A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MURTA60040R
GeneSiC Semiconductor

MURTA60040R

частина: 1014

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Anode, Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 400V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 600A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.5V @ 300A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBR2X120A060
GeneSiC Semiconductor

MBR2X120A060

частина: 3220

Конфігурація діодів: 2 Independent, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 60V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 120A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 750mV @ 120A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MURT20005
GeneSiC Semiconductor

MURT20005

частина: 1230

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 50V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 200A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.3V @ 100A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MUR20010CTR
GeneSiC Semiconductor

MUR20010CTR

частина: 1241

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Anode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 100V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 200A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.3V @ 100A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MSRT150100(A)D
GeneSiC Semiconductor

MSRT150100(A)D

частина: 1863

Конфігурація діодів: 1 Pair Series Connection, Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 1000V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 150A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.1V @ 150A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MURTA40040R
GeneSiC Semiconductor

MURTA40040R

частина: 964

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Anode, Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 400V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 200A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.3V @ 200A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MSRT100140(A)D
GeneSiC Semiconductor

MSRT100140(A)D

частина: 1918

Конфігурація діодів: 1 Pair Series Connection, Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 1400V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 100A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.1V @ 100A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBRT60035R
GeneSiC Semiconductor

MBRT60035R

частина: 968

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Anode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 35V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 600A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 750mV @ 300A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBR2X160A150
GeneSiC Semiconductor

MBR2X160A150

частина: 2527

Конфігурація діодів: 2 Independent, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 150V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 160A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 880mV @ 160A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBRT20035R
GeneSiC Semiconductor

MBRT20035R

частина: 1367

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Anode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 35V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 200A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 750mV @ 100A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MUR40010CTR
GeneSiC Semiconductor

MUR40010CTR

частина: 1252

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Anode, Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 100V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 400A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.3V @ 125A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MUR30010CTR
GeneSiC Semiconductor

MUR30010CTR

частина: 1392

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Anode, Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 100V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 300A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.3V @ 100A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBR200150CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR200150CTR

частина: 1502

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Anode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 150V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 100A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 880mV @ 100A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MUR20005CT
GeneSiC Semiconductor

MUR20005CT

частина: 1207

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 50V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 200A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.3V @ 100A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBR300200CT
GeneSiC Semiconductor

MBR300200CT

частина: 1452

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 150A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 920mV @ 150A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MUR2X100A04
GeneSiC Semiconductor

MUR2X100A04

частина: 2843

Конфігурація діодів: 2 Independent, Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 400V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 200A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.3V @ 100A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MUR30040CTR
GeneSiC Semiconductor

MUR30040CTR

частина: 1329

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Anode, Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 400V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 300A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.5V @ 100A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBR12060CT
GeneSiC Semiconductor

MBR12060CT

частина: 1522

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Anode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 60V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 120A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 750mV @ 60A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBR2X100A060
GeneSiC Semiconductor

MBR2X100A060

частина: 3312

Конфігурація діодів: 2 Independent, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 60V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 100A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 750mV @ 100A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
FST100200
GeneSiC Semiconductor

FST100200

частина: 1661

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 50A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 920mV @ 50A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBRT500100R
GeneSiC Semiconductor

MBRT500100R

частина: 1083

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Anode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 100V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 500A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 880mV @ 250A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MURTA40020R
GeneSiC Semiconductor

MURTA40020R

частина: 985

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Anode, Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 200A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.3V @ 200A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBRT200150
GeneSiC Semiconductor

MBRT200150

частина: 1643

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 150V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 100A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 880mV @ 100A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань