Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 9.4A (Ta), 34A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 20A, 10V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.6A (Ta), Приводна напруга: 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.6A, 4.5V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 12V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 15A (Ta), Приводна напруга: 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 15A, 4.5V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 7.5A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 7.8A, 10V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 9.8A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 12A, 20V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 11.1A (Ta), Приводна напруга: 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 7A, 4.5V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 11.5A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 14A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 24V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 14.1A (Ta), Приводна напруга: 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 9A, 10V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 10.2A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5 mOhm @ 9.5A, 10V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8.7A (Ta), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 10.3A (Ta), 45A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 10A, 10V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 45A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 9.8A, 10V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 12.7A (Ta), 42A (Tc), Приводна напруга: 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 3.6A, 4.5V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 7.6A (Ta), Приводна напруга: 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 7A, 4.5V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.8A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 5A, 10V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 250V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 260mA (Ta), Приводна напруга: 3.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 200mA, 10V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 50A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 10A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 17.6A (Ta), 62A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 13.5A, 10V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8.5A (Ta), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 7.9A (Ta), Приводна напруга: 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 4A, 4.5V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 650V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 2A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44 mOhm @ 4.3A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 25A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 13.5A (Ta), 100A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 20A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 20.9A (Ta), 100A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 50A, 10V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3A (Ta), Приводна напруга: 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2.8A, 4.5V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6.2A (Tc), Приводна напруга: 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 6.2A, 4.5V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.6A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 5A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 20.6A (Ta), 100A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 50A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 210mA (Ta), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.8A (Ta), Приводна напруга: 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3.6A, 4.5V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 25A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 7.3A (Ta), 44A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 20A, 10V,
