Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 90A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 150A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 20A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 20A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 20A, 10V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 40A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 11.5A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44 mOhm @ 4.3A, 10V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6.6A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 5A, 10V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 12.7A (Ta), 42A (Tc), Приводна напруга: 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 3.6A, 4.5V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 16A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 16A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 500mA (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 1A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 250V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 230mA (Ta), Приводна напруга: 2.4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 Ohm @ 500mA, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 10.8A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 13.5A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 450V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 90mA (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 Ohm @ 100mA, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1A (Ta), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 1.5A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 28.9A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 13.5A, 10V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 25V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 7.3A (Ta), Приводна напруга: 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 6.4A, 4.5V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6.5A (Ta), Приводна напруга: 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 5.8A, 4.5V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 9.3A (Ta), Приводна напруга: 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 10A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 250V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 310mA (Ta), Приводна напруга: 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 Ohm @ 500mA, 10V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.8A (Ta), Приводна напруга: 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62 mOhm @ 4.2A, 4.5V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100A (Tc), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 20A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 80V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 53.7A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 12A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 600mA (Ta), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 1.5A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 20A (Ta), 140A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 86A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 10A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 10A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 10.5A (Ta), Приводна напруга: 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6 mOhm @ 8.5A, 4.5V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 7.8A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 4.5A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 140A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 13A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 320mA (Ta), Приводна напруга: 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 100mA, 4V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 80V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 9.7A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5 mOhm @ 12A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 7.6A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 9A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.2A (Ta), Приводна напруга: 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 8.2A, 4.5V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 900mA (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 900mA, 10V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 11A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 8A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 76A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 15A (Tc), Приводна напруга: 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 4.5A, 4.5V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 50A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 10A, 10V,
