Керована конфігурація: Low-Side, Тип каналу: Single, Кількість водіїв: 1, Тип воріт: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 9V ~ 35V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 3.5V,
Керована конфігурація: Low-Side, Тип каналу: Single, Кількість водіїв: 1, Тип воріт: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 12.5V ~ 35V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 3.5V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: IGBT, N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 17V (Max), Логічна напруга - VIL, VIH: 1.5V, 3.6V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: IGBT, N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 10V ~ 20V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2.9V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: 3-Phase, Кількість водіїв: 6, Тип воріт: IGBT, N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 10V ~ 20V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: IGBT, N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 5V ~ 20V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2.9V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: 3-Phase, Кількість водіїв: 6, Тип воріт: IGBT, N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 11.5V ~ 20V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 3V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Synchronous, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: IGBT, N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 10V ~ 20V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
Керована конфігурація: High-Side, Тип каналу: Single, Кількість водіїв: 1, Тип воріт: IGBT, N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 13V ~ 20V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 3V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 6, Тип воріт: IGBT, N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 10V ~ 20V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: IGBT, N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 10V ~ 20V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: 3-Phase, Кількість водіїв: 6, Тип воріт: IGBT, N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 10V ~ 20V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: 3-Phase, Кількість водіїв: 6, Тип воріт: IGBT, N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 12V ~ 20V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 3V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: IGBT, N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 10V ~ 20V, Логічна напруга - VIL, VIH: 6V, 9.5V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: 3-Phase, Кількість водіїв: 6, Тип воріт: IGBT, N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 11.5V ~ 20V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
Керована конфігурація: High-Side, Тип каналу: Single, Кількість водіїв: 1, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 3.5V ~ 60V,
Керована конфігурація: Low-Side, Тип каналу: Single, Кількість водіїв: 1, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 5V ~ 25V, Логічна напруга - VIL, VIH: 1.8V, 2V,
Керована конфігурація: High-Side, Тип каналу: Single, Кількість водіїв: 1, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 3.5V ~ 135V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 4, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 10V ~ 15V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4.5V ~ 13.5V, Логічна напруга - VIL, VIH: 1.85V, 3.25V,
Керована конфігурація: High-Side, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 3, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 1.8V ~ 6V,
Керована конфігурація: High-Side, Тип каналу: Single, Кількість водіїв: 1, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 3V ~ 42V,
Керована конфігурація: High-Side, Тип каналу: Single, Кількість водіїв: 1, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 3.5V ~ 15V,
Керована конфігурація: High-Side, Тип каналу: Single, Кількість водіїв: 1, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4V ~ 15V, Логічна напруга - VIL, VIH: 1.3V, 1.6V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Synchronous, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 6.8V ~ 13.2V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 8V ~ 14V, Логічна напруга - VIL, VIH: 3.7V, 7.4V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 4, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 9.5V ~ 15V, Логічна напруга - VIL, VIH: 1V, 2.5V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 4, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 8.5V ~ 15V, Логічна напруга - VIL, VIH: 1V, 2.5V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Synchronous, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4.5V ~ 5.5V, Логічна напруга - VIL, VIH: 1V, 2V,
Керована конфігурація: Low-Side, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 4, Тип воріт: N-Channel, P-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4.5V ~ 18V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
Керована конфігурація: High-Side or Low-Side, Тип каналу: Single, Кількість водіїв: 1, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4.75V ~ 32V, Логічна напруга - VIL, VIH: 2V, 4.5V,
Керована конфігурація: Low-Side, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: N-Channel, P-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4.5V ~ 18V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 8V ~ 17V, Логічна напруга - VIL, VIH: 3V, 8V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Synchronous, Кількість водіїв: 4, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4.5V ~ 7V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2.6V,
