Керована конфігурація: Low-Side, Тип каналу: Single, Кількість водіїв: 1, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 5V ~ 40V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,
Керована конфігурація: Low-Side, Тип каналу: Synchronous, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: N-Channel, P-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4V ~ 14V, Логічна напруга - VIL, VIH: 1V, 4V,
Керована конфігурація: Low-Side, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 4, Тип воріт: N-Channel, P-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4.5V ~ 18V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
Керована конфігурація: Low-Side, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: N-Channel, P-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4.5V ~ 18V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 8V ~ 12.6V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 9V ~ 14V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 4, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 8.5V ~ 15V, Логічна напруга - VIL, VIH: 1V, 2.5V,
Керована конфігурація: High-Side or Low-Side, Тип каналу: Single, Кількість водіїв: 1, Тип воріт: IGBT, Напруга - живлення: 4.5V ~ 16.5V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Synchronous, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 8V ~ 14V, Логічна напруга - VIL, VIH: 1.8V, 4V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Synchronous, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 5V ~ 12V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
Керована конфігурація: High-Side, Тип каналу: Synchronous, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: N-Channel MOSFET,
Керована конфігурація: High-Side, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 9V ~ 24V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
Керована конфігурація: High-Side, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 3, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 1.8V ~ 6V,
Керована конфігурація: High-Side, Тип каналу: Single, Кількість водіїв: 1, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4V ~ 15V, Логічна напруга - VIL, VIH: 1.2V, 1.6V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: IGBT, N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 10V ~ 20V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: IGBT, N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 3.3V ~ 20V, Логічна напруга - VIL, VIH: 6V, 9.5V,
Керована конфігурація: High-Side, Тип каналу: Single, Кількість водіїв: 1, Тип воріт: IGBT, N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 10V ~ 20V, Логічна напруга - VIL, VIH: 6V, 9.5V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 6, Тип воріт: IGBT, N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 10V ~ 20V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: IGBT, N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 10V ~ 20V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2.9V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: 3-Phase, Кількість водіїв: 6, Тип воріт: IGBT, N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 10V ~ 20V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: 3-Phase, Кількість водіїв: 6, Тип воріт: IGBT, N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 10V ~ 20V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: IGBT, N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 10V ~ 20V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 3V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 10V ~ 20V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.7V, 2.2V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: 3-Phase, Кількість водіїв: 6, Тип воріт: IGBT, N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 10V ~ 20V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Synchronous, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: IGBT, N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 10V ~ 20V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2.9V,
Керована конфігурація: Low-Side, Тип каналу: Single, Кількість водіїв: 1, Тип воріт: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 12.5V ~ 35V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 3.5V,
Керована конфігурація: Low-Side, Тип каналу: Single, Кількість водіїв: 1, Тип воріт: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4.5V ~ 25V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 3.5V,
