Технологія: Magnetoresistive, Вісь: Single, Тип виходу: Wheatstone Bridge, Діапазон зондування: 2mT ~ 20mT, Напруга - живлення: 1V ~ 12.5V,
Технологія: Magnetoresistive, Вісь: Single, Тип виходу: Wheatstone Bridge, Діапазон зондування: 1mT ~ 7mT, Напруга - живлення: 1V ~ 24V,
Технологія: Magnetoresistive, Вісь: Single, Тип виходу: Wheatstone Bridge, Діапазон зондування: 0.5mT ~ 3.5mT, Напруга - живлення: 1V ~ 24V,
Технологія: Hall Effect, Вісь: Single, Тип виходу: Analog Voltage, Напруга - живлення: 4.5V ~ 5.5V, Струм - живлення (макс.): 8mA,
Технологія: Hall Effect, Вісь: X, Y, Z, Тип виходу: I²C, Напруга - живлення: 2.65V ~ 3.5V, Струм - живлення (макс.): 6.7mA,
Технологія: Hall Effect, Вісь: Single, Тип виходу: Analog Voltage, Напруга - живлення: 4.5V ~ 5.5V, Струм - живлення (макс.): 11.5mA,
Технологія: Hall Effect, Вісь: Single, Тип виходу: SPI, Напруга - живлення: 26.5V,
Технологія: Hall Effect, Вісь: Single, Тип виходу: Analog Voltage, Напруга - живлення: 4.5V ~ 5.5V, Струм - живлення (макс.): 10mA,
Технологія: Hall Effect, Вісь: Single, Тип виходу: Analog Voltage, Напруга - живлення: 4.5V ~ 6V, Струм - живлення (макс.): 11mA,
Технологія: Hall Effect, Вісь: Single, Тип виходу: Analog Voltage, Напруга - живлення: 4.5V ~ 5.5V, Струм - живлення (макс.): 12mA,
Технологія: Hall Effect, Вісь: Single, Тип виходу: PWM, Напруга - живлення: 4.5V ~ 16V, Струм - живлення (макс.): 19mA,
Технологія: Hall Effect, Вісь: Single, Тип виходу: Analog Voltage, Напруга - живлення: 2.5V ~ 3.5V, Струм - живлення (макс.): 3.2mA,
Технологія: Hall Effect, Вісь: X, Y, Z, Тип виходу: I²C, Діапазон зондування: ±4.9mT, Напруга - живлення: 2.4V ~ 3.6V, Струм - живлення (макс.): 10mA,
Технологія: Hall Effect, Вісь: X, Y, Z, Тип виходу: I²C, SPI, Діапазон зондування: ±4.9mT, Напруга - живлення: 2.4V ~ 3.6V, Струм - живлення (макс.): 10mA,
