Магнітні датчики - лінійні, компас (ІС)

HAL855 UT-A

частина: 42604

Технологія: Hall Effect, Вісь: X, Y, Тип виходу: PWM, Діапазон зондування: ±1mT, Напруга - живлення: 4.5V ~ 5.5V, Струм - живлення (макс.): 10mA,

HAL880 DJ-K

частина: 50090

Технологія: Hall Effect, Вісь: Single, Тип виходу: Analog Voltage, Напруга - живлення: 4.5V ~ 5.5V, Струм - живлення (макс.): 10mA,

MLX90215LVA-CC03

частина: 4714

Технологія: Hall Effect, Вісь: Single, Тип виходу: Analog Voltage, Діапазон зондування: Unlimited, Напруга - живлення: 4.5V ~ 5.5V, Струм - живлення (макс.): 6.5mA,

MLX90292LGO-CAE-000-RE

частина: 4148

Технологія: Hall Effect, Вісь: Single, Тип виходу: Open Drain, Діапазон зондування: ±30mT ~ ±170mT, Напруга - живлення: 4.6V ~ 8.7V, Струм - живлення (макс.): 6.5mA,

MLX90333LDC-BCH

частина: 4093

Технологія: Hall Effect, Вісь: X, Y, Z, Тип виходу: Analog, PWM, Діапазон зондування: 20mT ~ 70mT (X,Y), 24mT ~ 140mT (Z), Напруга - живлення: 4.5V ~ 5.5V, Струм - живлення (макс.): 16mA,

MLX90242ESE-GDA-000-RE

частина: 83395

Технологія: Hall Effect, Вісь: Single, Тип виходу: Analog Voltage, Діапазон зондування: Unlimited, Напруга - живлення: 4.5V ~ 5.5V, Струм - живлення (макс.): 4.5mA,

MLX90215LVA-LA03

частина: 3678

Технологія: Hall Effect, Вісь: Single, Тип виходу: Analog Voltage, Діапазон зондування: Unlimited, Напруга - живлення: 4.5V ~ 5.5V, Струм - живлення (макс.): 6.5mA,

MLX90215LVA-GC03

частина: 3552

Технологія: Hall Effect, Вісь: Single, Тип виходу: Analog Voltage, Діапазон зондування: Unlimited, Напруга - живлення: 4.5V ~ 5.5V, Струм - живлення (макс.): 6.5mA,

PDRV5053PAQLPG

частина: 4550

Технологія: Hall Effect, Вісь: Single, Тип виходу: Analog Voltage, Діапазон зондування: ±35mT, Напруга - живлення: 2.5V ~ 38V, Струм - живлення (макс.): 3.6mA,

PDRV5053VAQDBZT

частина: 4758

Технологія: Hall Effect, Вісь: Single, Тип виходу: Analog Voltage, Діапазон зондування: ±9mT, Напруга - живлення: 2.5V ~ 38V, Струм - живлення (макс.): 3.6mA,

PDRV5053OAQLPG

частина: 4452

Технологія: Hall Effect, Вісь: Single, Тип виходу: Analog Voltage, Діапазон зондування: ±73mT, Напруга - живлення: 2.5V ~ 38V, Струм - живлення (макс.): 3.6mA,

PDRV5053RAQDBZT

частина: 3954

Технологія: Hall Effect, Вісь: Single, Тип виходу: Analog Voltage, Діапазон зондування: ±18mT, Напруга - живлення: 2.5V ~ 38V, Струм - живлення (макс.): 3.6mA,

TLE4990E6782HAXA1

частина: 4792

Технологія: Hall Effect, Вісь: Single, Тип виходу: Analog Voltage, Діапазон зондування: 0mT ~ 400mT, Напруга - живлення: 4.5V ~ 5.5V, Струм - живлення (макс.): 5.5mA,

TLE4943CAAMA1

частина: 4681

TLE5027CIE6747HAMA1

частина: 27082

Технологія: Magnetoresistive, Вісь: X, Y, Z, Тип виходу: PWM,

TLE5027CE6747HAMA1

частина: 28405

Технологія: Magnetoresistive, Вісь: X, Y, Z, Тип виходу: PWM,

HMC6052

частина: 4428

Технологія: Magnetoresistive, Вісь: X, Y, Тип виходу: I²C, Діапазон зондування: ±0.2mT, Напруга - живлення: 2.5V ~ 3.6V, Струм - живлення (макс.): 9mA,

HMC1043-TR

частина: 3907

Технологія: Magnetoresistive, Вісь: X, Y, Z, Тип виходу: Wheatstone Bridge, Діапазон зондування: ±0.6mT, Напруга - живлення: 1.8V ~ 10V,

HMC1021D

частина: 3965

Технологія: Magnetoresistive, Вісь: Single, Тип виходу: Wheatstone Bridge, Діапазон зондування: ±0.6mT, Напруга - живлення: 2V ~ 25V,

HMC5843-TR

частина: 4166

Технологія: Magnetoresistive, Вісь: X, Y, Z, Тип виходу: I²C, Діапазон зондування: ±0.6mT, Напруга - живлення: 2.5V ~ 3.3V, Струм - живлення (макс.): 80µA,

HMC1023

частина: 3915

Технологія: Magnetoresistive, Вісь: X, Y, Z, Тип виходу: Wheatstone Bridge, Діапазон зондування: ±0.6mT, Напруга - живлення: 1.8V ~ 12V,

HMC5883L-TR

частина: 3889

Технологія: Magnetoresistive, Вісь: X, Y, Z, Тип виходу: I²C, Діапазон зондування: ±0.8mT, Напруга - живлення: 2.16V ~ 3.6V, Струм - живлення (макс.): 100µA (Typ),

HMC5983-TR

частина: 3669

Технологія: Magnetoresistive, Вісь: X, Y, Z, Тип виходу: I²C, SPI, Діапазон зондування: ±0.8mT, Напруга - живлення: 2.16V ~ 3.6V, Струм - живлення (макс.): 100µA (Typ),

HMC1052

частина: 3775

Технологія: Magnetoresistive, Вісь: X, Y, Тип виходу: Wheatstone Bridge, Діапазон зондування: ±0.6mT, Напруга - живлення: 1.8V ~ 20V,

HMC1041Z-TR

частина: 18757

Технологія: Magnetoresistive, Вісь: Single, Тип виходу: Wheatstone Bridge, Діапазон зондування: ±0.6mT, Напруга - живлення: 2V ~ 20V,

SS94B1

частина: 4402

Технологія: Hall Effect, Вісь: Single, Тип виходу: Analog Voltage, Діапазон зондування: ±67mT, Напруга - живлення: 4.5V ~ 12V, Струм - живлення (макс.): 11mA,

SS94A1E

частина: 4257

Технологія: Hall Effect, Вісь: Single, Тип виходу: Analog Voltage, Діапазон зондування: ±50mT, Напруга - живлення: 6.6V ~ 12.6V, Струм - живлення (макс.): 30mA,

SS94A1F

частина: 1794

Технологія: Hall Effect, Вісь: Single, Тип виходу: Analog Voltage, Діапазон зондування: ±10mT, Напруга - живлення: 6.6V ~ 12.6V, Струм - живлення (макс.): 30mA,

MX868R

частина: 4422

Технологія: Hall Effect, Вісь: Single, Тип виходу: SPI, Діапазон зондування: ±20mT, Напруга - живлення: 4.5V ~ 5.5V, Струм - живлення (макс.): 3mA,

MX8683RTR

частина: 3987

Технологія: Hall Effect, Вісь: Single, Тип виходу: SPI, Діапазон зондування: ±20mT, Напруга - живлення: 4.5V ~ 5.5V, Струм - живлення (макс.): 3mA,

MX868RTR

частина: 3764

Технологія: Hall Effect, Вісь: Single, Тип виходу: SPI, Діапазон зондування: ±20mT, Напруга - живлення: 4.5V ~ 5.5V, Струм - живлення (макс.): 3mA,

MX8681RTR

частина: 3327

Технологія: Hall Effect, Вісь: Single, Тип виходу: SPI, Діапазон зондування: ±20mT, Напруга - живлення: 4.5V ~ 5.5V, Струм - живлення (макс.): 3mA,

ZMZ20

частина: 4174

Технологія: Magnetoresistive, Вісь: X, Y, Тип виходу: Analog Voltage, Напруга - живлення: 12V,

ZMY20TC

частина: 3384

Технологія: Magnetoresistive, Вісь: X, Y, Тип виходу: Analog Voltage, Напруга - живлення: 12V,

KMZ43T,118

частина: 8426

Технологія: Magnetoresistive, Вісь: X, Y, Тип виходу: Analog Voltage, Напруга - живлення: 5V ~ 9V,

KMZ10C,112

частина: 3760

Технологія: Magnetoresistive, Вісь: X, Y, Тип виходу: Analog Voltage, Напруга - живлення: 5V ~ 12V,