Магнітні датчики - лінійні, компас (ІС)

HMC1022-TR

частина: 81

Технологія: Magnetoresistive, Вісь: X, Y, Тип виходу: Wheatstone Bridge, Діапазон зондування: ±0.6mT, Напруга - живлення: 2V ~ 25V,

SS496A1-T3

частина: 37139

Технологія: Hall Effect, Вісь: Single, Тип виходу: Analog Voltage, Діапазон зондування: ±84mT, Напруга - живлення: 4.5V ~ 10.5V, Струм - живлення (макс.): 8.7mA,

SS495B-T3

частина: 64444

Технологія: Hall Effect, Вісь: Single, Тип виходу: Analog Voltage, Діапазон зондування: ±67mT, Напруга - живлення: 4.5V ~ 10.5V, Струм - живлення (макс.): 8.7mA,

SS494B-T2

частина: 43154

Технологія: Hall Effect, Вісь: Single, Тип виходу: Analog Voltage, Діапазон зондування: ±42mT, Напруга - живлення: 4.5V ~ 10.5V, Струм - живлення (макс.): 8.7mA,

SS495A1-SP

частина: 33563

Технологія: Hall Effect, Вісь: Single, Тип виходу: Analog Voltage, Діапазон зондування: ±67mT, Напруга - живлення: 4.5V ~ 10.5V, Струм - живлення (макс.): 8.7mA,

SS495A-T2

частина: 46558

Технологія: Hall Effect, Вісь: Single, Тип виходу: Analog Voltage, Діапазон зондування: ±67mT, Напруга - живлення: 4.5V ~ 10.5V, Струм - живлення (макс.): 8.7mA,

SS495B-T2

частина: 63000

Технологія: Hall Effect, Вісь: Single, Тип виходу: Analog Voltage, Діапазон зондування: ±67mT, Напруга - живлення: 4.5V ~ 10.5V, Струм - живлення (макс.): 8.7mA,

SS496A1-T2

частина: 37173

Технологія: Hall Effect, Вісь: Single, Тип виходу: Analog Voltage, Діапазон зондування: ±84mT, Напруга - живлення: 4.5V ~ 10.5V, Струм - живлення (макс.): 8.7mA,

SS495A2-SP

частина: 50136

Технологія: Hall Effect, Вісь: Single, Тип виходу: Analog Voltage, Діапазон зондування: ±67mT, Напруга - живлення: 4.5V ~ 10.5V, Струм - живлення (макс.): 8.7mA,

SS496A-SP

частина: 36368

Технологія: Hall Effect, Вісь: Single, Тип виходу: Analog Voltage, Діапазон зондування: ±84mT, Напруга - живлення: 4.5V ~ 10.5V, Струм - живлення (макс.): 8.7mA,

SS495A1-T3

частина: 36175

Технологія: Hall Effect, Вісь: Single, Тип виходу: Analog Voltage, Діапазон зондування: ±67mT, Напруга - живлення: 4.5V ~ 10.5V, Струм - живлення (макс.): 8.7mA,

SS494B-SP

частина: 41068

Технологія: Hall Effect, Вісь: Single, Тип виходу: Analog Voltage, Діапазон зондування: ±42mT, Напруга - живлення: 4.5V ~ 10.5V, Струм - живлення (макс.): 8.7mA,

SS496A-S

частина: 36867

Технологія: Hall Effect, Вісь: Single, Тип виходу: Analog Voltage, Діапазон зондування: ±84mT, Напруга - живлення: 4.5V ~ 10.5V, Струм - живлення (макс.): 8.7mA,

SS496B-S

частина: 59443

Технологія: Hall Effect, Вісь: Single, Тип виходу: Analog Voltage, Діапазон зондування: ±84mT, Напруга - живлення: 4.5V ~ 10.5V, Струм - живлення (макс.): 8.7mA,

SS495A2-S

частина: 50119

Технологія: Hall Effect, Вісь: Single, Тип виходу: Analog Voltage, Діапазон зондування: ±67mT, Напруга - живлення: 4.5V ~ 10.5V, Струм - живлення (макс.): 8.7mA,

SS496B-F

частина: 63574

Технологія: Hall Effect, Вісь: Single, Тип виходу: Analog Voltage, Діапазон зондування: ±84mT, Напруга - живлення: 4.5V ~ 10.5V, Струм - живлення (макс.): 8.7mA,

RR111-1DC2-332

частина: 117

Технологія: Magnetoresistive, Вісь: Single, Тип виходу: Analog Voltage, Діапазон зондування: ±1mT, Напруга - живлення: 2.7V ~ 3.6V, Струм - живлення (макс.): 2.7mA,

DRV5055A4QDBZT

частина: 94

Технологія: Hall Effect, Вісь: Single, Тип виходу: Analog Voltage, Діапазон зондування: ±169mT, Напруга - живлення: 3V ~ 3.63V, 4.5V ~ 5.5V, Струм - живлення (макс.): 10mA,

DRV5055A1QLPGM

частина: 112

Технологія: Hall Effect, Вісь: Single, Тип виходу: Analog Voltage, Діапазон зондування: ±21mT, ±22mT, Напруга - живлення: 3V ~ 3.63V, 4.5V ~ 5.5V, Струм - живлення (макс.): 10mA,

DRV5053EAQDBZR

частина: 151362

Технологія: Hall Effect, Вісь: Single, Тип виходу: Analog Voltage, Діапазон зондування: ±18mT, Напруга - живлення: 2.7V ~ 38V, Струм - живлення (макс.): 3.6mA,

DRV5053EAQDBZTQ1

частина: 157940

Технологія: Hall Effect, Вісь: Single, Тип виходу: Analog Voltage, Діапазон зондування: ±18mT, Напруга - живлення: 2.7V ~ 38V, Струм - живлення (макс.): 3.6mA,

DRV5053CAELPGMQ1

частина: 139156

Технологія: Hall Effect, Вісь: Single, Тип виходу: Analog Voltage, Діапазон зондування: ±35mT, Напруга - живлення: 2.7V ~ 38V, Струм - живлення (макс.): 3.6mA,

DRV5053OAELPGMQ1

частина: 139196

Технологія: Hall Effect, Вісь: Single, Тип виходу: Analog Voltage, Діапазон зондування: ±73mT, Напруга - живлення: 2.7V ~ 38V, Струм - живлення (макс.): 3.6mA,

DRV5053CAELPGQ1

частина: 152182

Технологія: Hall Effect, Вісь: Single, Тип виходу: Analog Voltage, Діапазон зондування: ±35mT, Напруга - живлення: 2.7V ~ 38V, Струм - живлення (макс.): 3.6mA,

DRV5053EAQLPGQ1

частина: 152183

Технологія: Hall Effect, Вісь: Single, Тип виходу: Analog Voltage, Діапазон зондування: ±18mT, Напруга - живлення: 2.7V ~ 38V, Струм - живлення (макс.): 3.6mA,

SI7210-B-03-IVR

частина: 67576

SI7210-B-01-IVR

частина: 62936

SI7215-B-00-IVR

частина: 62983

SI7210-B-02-IVR

частина: 67572

SI7213-B-00-IVR

частина: 62959

SI7210-B-00-IVR

частина: 62970

Технологія: Hall Effect, Вісь: Z, Тип виходу: I²C, Діапазон зондування: ±20mT, Напруга - живлення: 1.71V ~ 5.5V, Струм - живлення (макс.): 8.5mA,

SI7216-B-00-IVR

частина: 62980

SI7217-B-01-IVR

частина: 62948

SI7214-B-00-IVR

частина: 62981

SI7211-B-00-IVR

частина: 62984

SI7210-B-01-IV

частина: 57246