| Тип | Опис |
| Статус частини | Obsolete |
|---|---|
| Тип FET | N-Channel |
| Технологія | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Слив до джерела напруги (Vdss) | 650V |
| Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C | 20A (Tc) |
| Приводна напруга | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130 mOhm @ 13A, 8V |
| Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор | 2.6V @ 300µA |
| Зарядка затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 14nC @ 8V |
| Vgs (макс.) | ±18V |
| Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds | 760pF @ 400V |
| Функція FET | - |
| Розсіювання потужності (макс.) | 96W (Tc) |
| Робоча температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип кріплення | Surface Mount |
| Пакет пристроїв постачальника | 4-PQFN (8x8) |
| Пакет / футляр | 4-PowerDFN |
| Статус ROHS | Rohs сумісний |
|---|---|
| Рівень чутливості вологості (MSL) | Не застосовується |
| Статус життєвого циклу | Застарілий / кінець життя |
| Столярна категорія | Доступний запас |
