Тип | Опис |
Статус частини | Obsolete |
---|---|
Тип FET | P-Channel |
Технологія | MOSFET (Metal Oxide) |
Слив до джерела напруги (Vdss) | 30V |
Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C | - |
Приводна напруга | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор | 1V @ 250µA (Min) |
Зарядка затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 20nC @ 5V |
Vgs (макс.) | ±20V |
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds | - |
Функція FET | Schottky Diode (Isolated) |
Розсіювання потужності (макс.) | 2W (Ta) |
Робоча температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип кріплення | Surface Mount |
Пакет пристроїв постачальника | 8-SO |
Пакет / футляр | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Статус ROHS | Rohs сумісний |
---|---|
Рівень чутливості вологості (MSL) | Не застосовується |
Статус життєвого циклу | Застарілий / кінець життя |
Столярна категорія | Доступний запас |