Тип | Опис |
Статус частини | Active |
---|---|
Тип FET | P-Channel |
Технологія | MOSFET (Metal Oxide) |
Слив до джерела напруги (Vdss) | 20V |
Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C | 2A (Tc) |
Приводна напруга | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 215 mOhm @ 2.5A, 4.5V |
Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор | 1.5V @ 250µA |
Зарядка затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 8nC @ 10V |
Vgs (макс.) | ±12V |
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds | 210pF @ 10V |
Функція FET | Schottky Diode (Isolated) |
Розсіювання потужності (макс.) | 2W (Ta), 3.1W (Tc) |
Робоча температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип кріплення | Surface Mount |
Пакет пристроїв постачальника | 8-SO |
Пакет / футляр | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Статус ROHS | Rohs сумісний |
---|---|
Рівень чутливості вологості (MSL) | Не застосовується |
Статус життєвого циклу | Застарілий / кінець життя |
Столярна категорія | Доступний запас |