| Тип | Опис |
| Статус частини | Active |
|---|---|
| Тип FET | N-Channel |
| Технологія | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Слив до джерела напруги (Vdss) | 1200V |
| Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C | 27A (Tc) |
| Приводна напруга | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150 mOhm @ 14A, 20V |
| Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор | 4V @ 7mA |
| Зарядка затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 80nC @ 20V |
| Vgs (макс.) | +22V, -6V |
| Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds | 1125pF @ 800V |
| Функція FET | - |
| Розсіювання потужності (макс.) | 139W (Tc) |
| Робоча температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип кріплення | Through Hole |
| Пакет пристроїв постачальника | TO-247-3 |
| Пакет / футляр | TO-247-3 |
| Статус ROHS | Rohs сумісний |
|---|---|
| Рівень чутливості вологості (MSL) | Не застосовується |
| Статус життєвого циклу | Застарілий / кінець життя |
| Столярна категорія | Доступний запас |
