Тип | Опис |
Статус частини | Active |
---|---|
Тип FET | - |
Технологія | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Слив до джерела напруги (Vdss) | 1200V |
Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C | 100A (Tc) |
Приводна напруга | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 50A |
Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор | - |
Зарядка затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | - |
Vgs (макс.) | - |
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds | 7209pF @ 800V |
Функція FET | - |
Розсіювання потужності (макс.) | 583W (Tc) |
Робоча температура | 175°C (TJ) |
Тип кріплення | Through Hole |
Пакет пристроїв постачальника | TO-247AB |
Пакет / футляр | TO-247-3 |
Статус ROHS | Rohs сумісний |
---|---|
Рівень чутливості вологості (MSL) | Не застосовується |
Статус життєвого циклу | Застарілий / кінець життя |
Столярна категорія | Доступний запас |