Пам'ять

W632GU6MB-12 TR

частина: 7755

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3, Обсяг пам'яті: 2Gb (128M x 16), Тактова частота: 800MHz,

W967D6HBGX7I TR

частина: 16298

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: PSRAM, Технологія: PSRAM (Pseudo SRAM), Обсяг пам'яті: 128Mb (8M x 16), Тактова частота: 133MHz,

W631GG8MB-12

частина: 1551

W979H6KBVX2E TR

частина: 15657

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR2, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 400MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

W632GU8MB-15

частина: 5808

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3, Обсяг пам'яті: 2Gb (128M x 16), Тактова частота: 667MHz,

W957D6HBCX7I TR

частина: 16251

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: PSRAM, Технологія: PSRAM (Pseudo SRAM), Обсяг пам'яті: 128Mb (8M x 16), Тактова частота: 133MHz,

W632GU6MB-15 TR

частина: 7852

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3, Обсяг пам'яті: 2Gb (128M x 16), Тактова частота: 667MHz,

W966D6HBGX7I TR

частина: 18741

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: PSRAM, Технологія: PSRAM (Pseudo SRAM), Обсяг пам'яті: 64Mb (4M x 16), Тактова частота: 133MHz,

W948D2FBJX5I

частина: 24305

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR, Обсяг пам'яті: 256Mb (8M x 32), Тактова частота: 200MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

W978H2KBVX2I

частина: 14694

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR2, Обсяг пам'яті: 256Mb (8M x 32), Тактова частота: 400MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

W632GU8MB-12 TR

частина: 858

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3, Обсяг пам'яті: 2Gb (128M x 16), Тактова частота: 800MHz,

W632GG6MB-09

частина: 7814

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3, Обсяг пам'яті: 2Gb (128M x 16), Тактова частота: 1066MHz,

W956D6HBCX7I TR

частина: 18703

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: PSRAM, Технологія: PSRAM (Pseudo SRAM), Обсяг пам'яті: 64Mb (4M x 16), Тактова частота: 133MHz,

W25M02GVTCIT TR

частина: 20613

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND (SLC), Обсяг пам'яті: 2Gb (256M x 8), Тактова частота: 104MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 700µs,

W971GG6SB25I

частина: 12389

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 1Gb (64M x 16), Тактова частота: 200MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

W632GG8MB-12 TR

частина: 879

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3, Обсяг пам'яті: 2Gb (128M x 16), Тактова частота: 800MHz,

W632GG8MB-15

частина: 5799

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3, Обсяг пам'яті: 2Gb (128M x 16), Тактова частота: 667MHz,

W631GU6MB-12

частина: 21

W632GU8MB-12

частина: 5803

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3, Обсяг пам'яті: 2Gb (128M x 16), Тактова частота: 800MHz,

W9425G6JB-5I TR

частина: 16686

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 200MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

W25M02GVZEIG TR

частина: 22670

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND (SLC), Обсяг пам'яті: 2Gb (256M x 8), Тактова частота: 104MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 700µs,

W94AD6KBHX5I TR

частина: 15647

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR, Обсяг пам'яті: 1Gb (64M x 16), Тактова частота: 200MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

W632GG8MB-11

частина: 5830

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3, Обсяг пам'яті: 2Gb (128M x 16), Тактова частота: 933MHz,

W632GG6MB12I TR

частина: 4907

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3, Обсяг пам'яті: 2Gb (128M x 16), Тактова частота: 800MHz,

W631GG8MB12I

частина: 3780

W9751G8KB25I

частина: 21906

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 512Mb (64M x 8), Тактова частота: 400MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

W25Q256JVCIM TR

частина: 21670

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 256Mb (32M x 8), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 3ms,

W9425G6KH-5I

частина: 27486

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 200MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

W947D2HBJX5E TR

частина: 29956

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR, Обсяг пам'яті: 128Mb (4M x 32), Тактова частота: 200MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

W947D6HBHX6E

частина: 28715

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR, Обсяг пам'яті: 128Mb (8M x 16), Тактова частота: 166MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

W9825G6JB-6 TR

частина: 20071

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 166MHz,

W25Q256JVBIQ TR

частина: 21636

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 256Mb (32M x 8), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 3ms,

W631GU8MB11I TR

частина: 9067

W631GU8MB12I TR

частина: 1906

W25Q256JVCIQ

частина: 19978

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 256Mb (32M x 8), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 3ms,

W631GG8MB-11

частина: 6029