Транзистори - біполярні (BJT) - одинарні | Дискретні напівпровідникові вироби | 2

BUJ303CD,118

частина: 106180

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 400V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 3A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 28 @ 10mA, 3V,

Список побажань

WeEn Semiconductors

BUJ403A/DG,127

частина: 126531

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 6A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 550V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 2A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V,

Список побажань

WeEn Semiconductors

BUJ303AX,127

частина: 183424

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 500V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 3A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 10 @ 5mA, 5V,

Список побажань

WeEn Semiconductors

BUJ302A,127

частина: 124082

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 400V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 3.5A, Струм - відсікання колектора (макс.): 250mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 25 @ 800mA, 3V,

Список побажань

WeEn Semiconductors

BUJD203A,127

частина: 182402

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 425V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 11 @ 2A, 5V,

Список побажань

WeEn Semiconductors

BUJ302AX,127

частина: 183984

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 400V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 3.5A, Струм - відсікання колектора (макс.): 250µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 25 @ 800mA, 3V,

Список побажань

WeEn Semiconductors

BUJD103AD,118

частина: 162723

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 400V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 11 @ 2A, 5V,

Список побажань

WeEn Semiconductors

BUJD105AD,118

частина: 116098

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 8A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 400V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 800mA, 4A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 13 @ 500mA, 5V,

Список побажань

WeEn Semiconductors

BUJ106A,127

частина: 186848

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 10A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 400V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 1.2A, 6A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 14 @ 500mA, 5V,

Список побажань

WeEn Semiconductors

BUJ103AX,127

частина: 104695

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 400V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 12 @ 500mA, 5V,

Список побажань

WeEn Semiconductors

BUJ103AD,118

частина: 158449

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 400V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 13 @ 500mA, 5V,

Список побажань

WeEn Semiconductors

BUJ303B,127

частина: 169803

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 400V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 3A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 23 @ 800mA, 3V,

Список побажань

WeEn Semiconductors

BUJ303A,127

частина: 88268

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 500V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 3A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 14 @ 500mA, 5V,

Список побажань

WeEn Semiconductors

BUJ403A,127

частина: 173142

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 6A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 550V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 2A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V,

Список побажань

WeEn Semiconductors

BUJ100,126

частина: 110412

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 400V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 150mA, 750mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 9 @ 750mA, 5V,

Список побажань

WeEn Semiconductors

BUJ100LR,412

частина: 191090

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 400V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 750mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 1mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 10 @ 400mA, 5V,

Список побажань

WeEn Semiconductors

BUJ105AD,118

частина: 115404

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 8A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 400V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 800mA, 4A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 13 @ 500mA, 5V,

Список побажань

WeEn Semiconductors

BUJD203AX,127

частина: 187256

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 425V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A, Струм - відсікання колектора (макс.): 2mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 10 @ 1mA, 5V,

Список побажань

WeEn Semiconductors

BUJ105A,127

частина: 104206

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 8A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 400V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 800mA, 4A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 13 @ 500mA, 5V,

Список побажань

WeEn Semiconductors

BUJ103A,127

частина: 167875

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 400V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A, Струм - відсікання колектора (макс.): 1mA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 13 @ 500mA, 5V,

Список побажань

WeEn Semiconductors

BUJD203AD,118

частина: 141624

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 425V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 11 @ 2A, 5V,

Список побажань

WeEn Semiconductors

BUJ302AD,118

частина: 111185

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 400V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 3.5A, Струм - відсікання колектора (макс.): 250mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 25 @ 800mA, 3V,

Список побажань

WeEn Semiconductors

BUJ100LR,126

частина: 108320

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 400V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 750mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 1mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 10 @ 400mA, 5V,

Список побажань

WeEn Semiconductors

BUJ100,412

частина: 100846

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 400V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 150mA, 750mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 9 @ 750mA, 5V,

Список побажань

WeEn Semiconductors

BUJ105AB,118

частина: 186896

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 8A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 400V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 800mA, 4A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 13 @ 500mA, 5V,

Список побажань

WeEn Semiconductors

PHE13009/DG,127

частина: 89399

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 12A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 400V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2V @ 1.6A, 8A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V,

Список побажань

WeEn Semiconductors

PHE13003A,126

частина: 148922

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 400V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 750mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 1mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 10 @ 400mA, 5V,

Список побажань

WeEn Semiconductors

PHE13005X,127

частина: 6563

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 400V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V,

Список побажань

WeEn Semiconductors

TB100ML

частина: 161549

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 700V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 150mA, 750mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 14 @ 100mA, 5V,

Список побажань

WeEn Semiconductors

TB100EP

частина: 189688

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 700V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 150mA, 750mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 14 @ 100mA, 5V,

Список побажань

WeEn Semiconductors

PHE13003A,412

частина: 144011

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 400V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 750mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 1mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 10 @ 400mA, 5V,

Список побажань

WeEn Semiconductors

PHD13005,127

частина: 128506

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 400V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V,

Список побажань

WeEn Semiconductors

PHE13007,127

частина: 104975

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 8A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 400V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 350mV @ 1A, 5A, Струм - відсікання колектора (макс.): 200µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V,

Список побажань

WeEn Semiconductors

PHE13005,127

частина: 130785

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 400V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V,

Список побажань

WeEn Semiconductors

PHE13003C,412

частина: 195669

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1.5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 400V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 1.5A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 5 @ 1A, 2V,

Список побажань

WeEn Semiconductors

PHD13003C,126

частина: 118151

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1.5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 400V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 1.5A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 5 @ 1A, 2V,

Список побажань