Тип ланцюга: Isolated, Опір (Ом): 22k, Толерантність: ±2%, Кількість резисторів: 3, Резистор-співвідношення-дрейф: ±50 ppm/°C,
Тип ланцюга: Isolated, Опір (Ом): 10k, 20k, Толерантність: ±1%, Кількість резисторів: 2,
Тип ланцюга: Isolated, Опір (Ом): 1k, 100k, Толерантність: ±1%, Кількість резисторів: 2,
Тип ланцюга: Isolated, Опір (Ом): 1.05k, 20k, Толерантність: ±1%, Кількість резисторів: 2,
Тип ланцюга: Isolated, Опір (Ом): 100, Толерантність: ±2%, Кількість резисторів: 4, Резистор-співвідношення-дрейф: ±50 ppm/°C,
Тип ланцюга: Bussed, Опір (Ом): 510, Толерантність: ±2%, Кількість резисторів: 5, Резистор-співвідношення-дрейф: ±50 ppm/°C,
Тип ланцюга: Isolated, Опір (Ом): 47, Толерантність: ±2%, Кількість резисторів: 4, Резистор-співвідношення-дрейф: ±50 ppm/°C,
Тип ланцюга: Isolated, Опір (Ом): 20k, Толерантність: ±2%, Кількість резисторів: 4, Резистор-співвідношення-дрейф: ±50 ppm/°C,
Тип ланцюга: Bussed, Опір (Ом): 1M, Толерантність: ±2%, Кількість резисторів: 13,
Тип ланцюга: Isolated, Опір (Ом): 499k, Толерантність: ±1%, Кількість резисторів: 4, Резистор-співвідношення-дрейф: ±50 ppm/°C,
Тип ланцюга: Isolated, Опір (Ом): 100, Толерантність: ±2%, Кількість резисторів: 5, Резистор-співвідношення-дрейф: ±50 ppm/°C,
Тип ланцюга: Isolated, Опір (Ом): 100k, Толерантність: ±2%, Кількість резисторів: 5, Резистор-співвідношення-дрейф: ±50 ppm/°C,
Тип ланцюга: Bussed, Опір (Ом): 510, Толерантність: ±2%, Кількість резисторів: 7, Резистор-співвідношення-дрейф: ±50 ppm/°C,
Тип ланцюга: Isolated, Опір (Ом): 470, Толерантність: ±2%, Кількість резисторів: 4, Резистор-співвідношення-дрейф: ±50 ppm/°C,
Тип ланцюга: Bussed, Опір (Ом): 680, Толерантність: ±2%, Кількість резисторів: 9, Резистор-співвідношення-дрейф: ±50 ppm/°C,
Тип ланцюга: Isolated, Опір (Ом): 10k, Толерантність: ±2%, Кількість резисторів: 3, Резистор-співвідношення-дрейф: ±50 ppm/°C,
Тип ланцюга: Isolated, Опір (Ом): 10k, Толерантність: ±5%, Кількість резисторів: 8,
Тип ланцюга: Isolated, Опір (Ом): 2k, 20k, Толерантність: ±1%, Кількість резисторів: 2,
Тип ланцюга: Bussed, Опір (Ом): 47k, Толерантність: ±2%, Кількість резисторів: 6, Резистор-співвідношення-дрейф: ±50 ppm/°C,
Тип ланцюга: Bussed, Опір (Ом): 2k, Толерантність: ±2%, Кількість резисторів: 9, Резистор-співвідношення-дрейф: ±50 ppm/°C,
Тип ланцюга: Isolated, Опір (Ом): 330, Толерантність: ±2%, Кількість резисторів: 7,
Тип ланцюга: Isolated, Опір (Ом): 2.2k, Толерантність: ±2%, Кількість резисторів: 4, Резистор-співвідношення-дрейф: ±50 ppm/°C,
Тип ланцюга: Bussed, Опір (Ом): 15k, Толерантність: ±2%, Кількість резисторів: 8, Резистор-співвідношення-дрейф: ±50 ppm/°C,
Тип ланцюга: Bussed, Опір (Ом): 3.3k, Толерантність: ±2%, Кількість резисторів: 13,
Тип ланцюга: Isolated, Опір (Ом): 1M, Толерантність: ±2%, Кількість резисторів: 5, Резистор-співвідношення-дрейф: ±50 ppm/°C,
Тип ланцюга: Isolated, Опір (Ом): 1.8k, Толерантність: ±2%, Кількість резисторів: 4, Резистор-співвідношення-дрейф: ±50 ppm/°C,
Тип ланцюга: Bussed, Опір (Ом): 47k, Толерантність: ±2%, Кількість резисторів: 13,
Тип ланцюга: Bussed, Опір (Ом): 4.7k, Толерантність: ±2%, Кількість резисторів: 5, Резистор-співвідношення-дрейф: ±50 ppm/°C,
Тип ланцюга: Isolated, Опір (Ом): 150, Толерантність: ±2%, Кількість резисторів: 5, Резистор-співвідношення-дрейф: ±50 ppm/°C,
Тип ланцюга: Bussed, Опір (Ом): 100k, Толерантність: ±2%, Кількість резисторів: 5, Резистор-співвідношення-дрейф: ±50 ppm/°C,
Тип ланцюга: Isolated, Опір (Ом): 560, Толерантність: ±2%, Кількість резисторів: 4, Резистор-співвідношення-дрейф: ±50 ppm/°C,
Тип ланцюга: Bussed, Опір (Ом): 1k, Толерантність: ±2%, Кількість резисторів: 9, Резистор-співвідношення-дрейф: ±50 ppm/°C,
Тип ланцюга: Bussed, Опір (Ом): 1k, Толерантність: ±2%, Кількість резисторів: 7, Резистор-співвідношення-дрейф: ±50 ppm/°C,
Тип ланцюга: Bussed, Опір (Ом): 47k, Толерантність: ±2%, Кількість резисторів: 5, Резистор-співвідношення-дрейф: ±50 ppm/°C,
Тип ланцюга: Bussed, Опір (Ом): 22k, Толерантність: ±2%, Кількість резисторів: 5, Резистор-співвідношення-дрейф: ±50 ppm/°C,
Тип ланцюга: Bussed, Опір (Ом): 33k, Толерантність: ±2%, Кількість резисторів: 9, Резистор-співвідношення-дрейф: ±50 ppm/°C,
