Оптичні датчики - відбивні - аналоговий вихід

OPB755TAZ

OPB755TAZ

частина: 16927

Зондування відстані: 0.220" (5.59mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 24V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

Список побажань
OPB608V

OPB608V

частина: 7738

Зондування відстані: 0.050" (1.27mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 25mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 12mA, Тип виходу: Phototransistor,

Список побажань
OPB710F

OPB710F

частина: 9140

Зондування відстані: 0.250" (6.35mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 25mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

Список побажань
OPB702R

OPB702R

частина: 29649

Зондування відстані: 0.150" (3.81mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 15V, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Transistor, Base-Emitter Resistor,

Список побажань
OPB742W

OPB742W

частина: 2735

Зондування відстані: 0.150" (3.81mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 40mA, Тип виходу: Phototransistor,

Список побажань
OPB706C

OPB706C

частина: 43602

Зондування відстані: 0.050" (1.27mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 24V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 25mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

Список побажань
OPB755TZ

OPB755TZ

частина: 12878

Зондування відстані: 0.220" (5.59mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 24V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

Список побажань
OPB744W

OPB744W

частина: 2774

Зондування відстані: 0.150" (3.81mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 40mA, Тип виходу: Phototransistor,

Список побажань
OPB706A

OPB706A

частина: 39866

Зондування відстані: 0.050" (1.27mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 24V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 25mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

Список побажань
OPB743W

OPB743W

частина: 4313

Зондування відстані: 0.150" (3.81mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 40mA, Тип виходу: Phototransistor,

Список побажань
OPB739RWZ

OPB739RWZ

частина: 5303

Зондування відстані: 0.015" ~ 0.045" (0.38mm ~ 1.14mm) ADJ, Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 40mA, Тип виходу: Phototransistor,

Список побажань
OPB740W

OPB740W

частина: 4359

Зондування відстані: 0.150" (3.81mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 40mA, Тип виходу: Phototransistor,

Список побажань
OPB712

OPB712

частина: 27713

Зондування відстані: 0.080" (2.03mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 15V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 125mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Photodarlington,

Список побажань
OPB703WZ

OPB703WZ

частина: 21166

Зондування відстані: 0.150" (3.81mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 25mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 40mA, Тип виходу: Phototransistor,

Список побажань
OPR5005TR

OPR5005TR

частина: 23833

Зондування відстані: 0.050" (1.27mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 25mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

Список побажань
OPB732

OPB732

частина: 20066

Зондування відстані: 3" (76.2mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

Список побажань
OPB607B

OPB607B

частина: 65732

Зондування відстані: 0.050" (1.27mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 15V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 125mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Photodarlington,

Список побажань
OPB702D

OPB702D

частина: 29730

Зондування відстані: 0.150" (3.81mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 15V, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Photodarlington,

Список побажань
OPB704G

OPB704G

частина: 28718

Зондування відстані: 0.149" (3.8mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 6mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 40mA, Тип виходу: Phototransistor,

Список побажань
OPB709

OPB709

частина: 29517

Зондування відстані: 0.150" (3.81mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 15V, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 40mA, Тип виходу: Photodarlington,

Список побажань
OPB702RR

OPB702RR

частина: 29723

Зондування відстані: 0.150" (3.81mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 15V, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Transistor, Base-Emitter Resistor,

Список побажань
OPB700

OPB700

частина: 2739

Зондування відстані: 0.200" (5.08mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 24V, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 100mA, Тип виходу: Phototransistor,

Список побажань
OPB707A

OPB707A

частина: 31033

Зондування відстані: 0.050" (1.27mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 15V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 125mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Photodarlington,

Список побажань
OPB706B

OPB706B

частина: 40281

Зондування відстані: 0.05" (1.27mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 24V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 25mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

Список побажань
OPB733TR

OPB733TR

частина: 29257

Зондування відстані: 1" (25.4mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

Список побажань
OPB70HWZ

OPB70HWZ

частина: 21699

Зондування відстані: 0.150" (3.81mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 25mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 40mA, Тип виходу: Transistor,

Список побажань
OPB70AWZ

OPB70AWZ

частина: 18874

Зондування відстані: 0.150" (3.81mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 15V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 25mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 40mA, Тип виходу: Darlington,

Список побажань
OPB747WZ

OPB747WZ

частина: 2766

Зондування відстані: 0.300" (7.62mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 40mA, Тип виходу: Transistor, Base-Emitter Resistor,

Список побажань
OPB732WZ

OPB732WZ

частина: 15744

Зондування відстані: 3" (76.2mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

Список побажань
OPB608C

OPB608C

частина: 51641

Зондування відстані: 0.050" (1.27mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 25mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

Список побажань
OPB741W

OPB741W

частина: 2720

Зондування відстані: 0.150" (3.81mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 40mA, Тип виходу: Phototransistor,

Список побажань
OPB70EWZ

OPB70EWZ

частина: 18687

Зондування відстані: 0.150" (3.81mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 25mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 40mA, Тип виходу: Transistor,

Список побажань
OPB742

OPB742

частина: 33637

Зондування відстані: 0.150" (3.81mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 40mA, Тип виходу: Phototransistor,

Список побажань
OPB743WZ

OPB743WZ

частина: 20862

Зондування відстані: 0.150" (3.81mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 40mA, Тип виходу: Phototransistor,

Список побажань
OPB755NZ

OPB755NZ

частина: 2712

Зондування відстані: 0.220" (5.59mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 24V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

Список побажань
OPB701Z

OPB701Z

частина: 7740

Зондування відстані: 0.200" (5.08mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 15V, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 100mA, Тип виходу: Photodarlington,

Список побажань