Пам'ять | Інтегральні схеми (ІС) | 3

THGAF8T1T83BAIR

частина: 1029

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 2Tb (256G x 8),

Список побажань

Toshiba Memory America, Inc.

THGAF8T0T43BAIR

частина: 163

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 1Tb (128G x 8),

Список побажань

Toshiba Memory America, Inc.

TH58NVG5S0FTA20

частина: 2067

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND (SLC), Обсяг пам'яті: 32Gb (4G x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

Список побажань

Toshiba Memory America, Inc.

THGAF8G9T43BAIR

частина: 113

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 512Gb (64G x 8),

Список побажань

Toshiba Memory America, Inc.

THGBMHG9C4LBAIR

частина: 3103

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 512Gb (64G x 8), Тактова частота: 52MHz,

Список побажань

Toshiba Memory America, Inc.

TH58NVG5S0FTAK0

частина: 618

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND (SLC), Обсяг пам'яті: 32Gb (4G x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

Список побажань

Toshiba Memory America, Inc.

THGBMHG8C2LBAIL

частина: 689

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 256Gb (32G x 8), Тактова частота: 52MHz,

Список побажань

Toshiba Memory America, Inc.

THGAF8G8T23BAIL

частина: 353

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 256Gb (32G x 8),

Список побажань

Toshiba Memory America, Inc.

TH58NVG4S0HTAK0

частина: 8052

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND (SLC), Обсяг пам'яті: 16Gb (2G x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

Список побажань

Toshiba Memory America, Inc.

TH58NVG4S0HTA20

частина: 4752

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND (SLC), Обсяг пам'яті: 16Gb (2G x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

Список побажань

Toshiba Memory America, Inc.

THGBMHG8C4LBAWR

частина: 2327

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 256Gb (32G x 8), Тактова частота: 52MHz,

Список побажань

Toshiba Memory America, Inc.

THGBMHG7C2LBAWR

частина: 4451

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 128Gb (16G x 8), Тактова частота: 52MHz,

Список побажань

Toshiba Memory America, Inc.

THGBMHG9C8LBAWG

частина: 1222

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 512Gb (64G x 8), Тактова частота: 52MHz,

Список побажань

Toshiba Memory America, Inc.

TC58CVG2S0HQAIE

частина: 1601

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND (SLC), Обсяг пам'яті: 4Gb (512M x 8), Тактова частота: 104MHz,

Список побажань

Toshiba Memory America, Inc.

TC58CVG0S3HQAIE

частина: 1534

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND (SLC), Обсяг пам'яті: 1Gb (128M x 8), Тактова частота: 104MHz,

Список побажань

Toshiba Memory America, Inc.

TC58CYG0S3HQAIE

частина: 1591

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND (SLC), Обсяг пам'яті: 1Gb (128M x 8), Тактова частота: 104MHz,

Список побажань

Toshiba Memory America, Inc.

THGBMHG6C1LBAWL

частина: 6485

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 64Gb (8G x 8), Тактова частота: 52MHz,

Список побажань

Toshiba Memory America, Inc.

TH58NVG4S0FTA20

частина: 4065

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND (SLC), Обсяг пам'яті: 16Gb (2G x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

Список побажань

Toshiba Memory America, Inc.

TH58BYG3S0HBAI6

частина: 9512

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND (SLC), Обсяг пам'яті: 8Gb (1G x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

Список побажань

Toshiba Memory America, Inc.

TH58BVG3S0HTAI0

частина: 686

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND (SLC), Обсяг пам'яті: 8Gb (1G x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

Список побажань

Toshiba Memory America, Inc.

TH58NVG3S0HBAI4

частина: 1370

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND (SLC), Обсяг пам'яті: 8Gb (1G x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

Список побажань

Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG1S3ETAI0

частина: 8211

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND (SLC), Обсяг пам'яті: 2Gb (256M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

Список побажань

Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG3S0FTA00

частина: 6211

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND (SLC), Обсяг пам'яті: 8Gb (1G x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

Список побажань

Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG2S0FTA00

частина: 9423

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND (SLC), Обсяг пам'яті: 4Gb (512M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

Список побажань

Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG1S3ETA00

частина: 8245

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND (SLC), Обсяг пам'яті: 2Gb (256M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

Список побажань

Toshiba Memory America, Inc.

THGBMHG7C1LBAIL

частина: 8087

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 128Gb (16G x 8), Тактова частота: 52MHz,

Список побажань

Toshiba Memory America, Inc.

TH58NVG3S0HTAI0

частина: 1148

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND (SLC), Обсяг пам'яті: 8Gb (1G x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

Список побажань

Toshiba Memory America, Inc.

TH58NVG3S0HTA00

частина: 3722

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND (SLC), Обсяг пам'яті: 8Gb (1G x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

Список побажань

Toshiba Memory America, Inc.

TH58NYG3S0HBAI6

частина: 3593

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND (SLC), Обсяг пам'яті: 8Gb (1G x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

Список побажань

Toshiba Memory America, Inc.

TH58BVG3S0HTA00

частина: 923

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND (SLC), Обсяг пам'яті: 8Gb (1G x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

Список побажань

Toshiba Memory America, Inc.

THGBMHG6C1LBAIL

частина: 777

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 64Gb (8G x 8), Тактова частота: 52MHz,

Список побажань

Toshiba Memory America, Inc.

TH58BVG2S3HBAI4

частина: 8683

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND (SLC), Обсяг пам'яті: 4Gb (512M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

Список побажань

Toshiba Memory America, Inc.

TH58BYG2S3HBAI4

частина: 1345

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND (SLC), Обсяг пам'яті: 4Gb (512M x 8),

Список побажань

Toshiba Memory America, Inc.

TH58NYG2S3HBAI4

частина: 1400

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND (SLC), Обсяг пам'яті: 4Gb (512M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

Список побажань

Toshiba Memory America, Inc.

TC58CYG2S0HRAIG

частина: 5315

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND (SLC), Обсяг пам'яті: 4Gb (512M x 8), Тактова частота: 104MHz,

Список побажань

Toshiba Memory America, Inc.

TC58CVG1S3HRAIG

частина: 1907

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND (SLC), Обсяг пам'яті: 2Gb (256M x 8), Тактова частота: 104MHz,

Список побажань