Керована конфігурація: Low-Side, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 3.5V ~ 14V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,
Керована конфігурація: High-Side or Low-Side, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 1, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4V ~ 18V, Логічна напруга - VIL, VIH: 1.3V, 1.85V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 8V ~ 17V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
Керована конфігурація: Low-Side, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 1, Тип воріт: N-Channel, P-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4.75V ~ 5.25V, Логічна напруга - VIL, VIH: 1.8V, 1.7V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 8V ~ 17V, Логічна напруга - VIL, VIH: 3V, 8V,
Керована конфігурація: Low-Side, Тип каналу: Synchronous, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: N-Channel, P-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4V ~ 14V, Логічна напруга - VIL, VIH: 1V, 4V,
Керована конфігурація: Low-Side, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: N-Channel, P-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4V ~ 15V, Логічна напруга - VIL, VIH: 1V, 2V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 8V ~ 14V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 9V ~ 14V, Логічна напруга - VIL, VIH: 2.3V, -,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 8V ~ 17V, Логічна напруга - VIL, VIH: 1.3V, 2.7V,
Керована конфігурація: Low-Side, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: N-Channel, P-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4.5V ~ 15V, Логічна напруга - VIL, VIH: 1V, 2V,
Керована конфігурація: Low-Side, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 6, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4.5V ~ 5.5V,
Керована конфігурація: Low-Side, Тип каналу: Synchronous, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4.75V ~ 5.25V, 4.75V ~ 24V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Synchronous, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4.5V ~ 15V, Логічна напруга - VIL, VIH: 1V, 2V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Synchronous, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4.5V ~ 15V,
Керована конфігурація: Low-Side, Тип каналу: Single, Кількість водіїв: 1, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4V ~ 14V, Логічна напруга - VIL, VIH: 1V, 4V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4.5V ~ 5.5V,
Керована конфігурація: Low-Side, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: IGBT, N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4.5V ~ 18V, Логічна напруга - VIL, VIH: 1V, 2.3V,
Керована конфігурація: Low-Side, Тип каналу: Single, Кількість водіїв: 1, Тип воріт: N-Channel, P-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4V ~ 15V, Логічна напруга - VIL, VIH: 1.1V, 2.7V,
