Транзистори - біполярні (BJT) - одинарні

Додому
Транзистори - біполярні (BJT) - одинарні

Taiwan Semiconductor Corporation

BC338-16 B1G

частина: 169

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 800mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 25V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Список побажань

Taiwan Semiconductor Corporation

BC846AW RFG

частина: 185

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 65V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

Список побажань

Taiwan Semiconductor Corporation

BC549A B1G

частина: 216

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - відсікання колектора (макс.): 15nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

Список побажань

Taiwan Semiconductor Corporation

BC550B A1G

частина: 174

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Струм - відсікання колектора (макс.): 15nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Список побажань

Taiwan Semiconductor Corporation

BC548C A1G

частина: 203

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - відсікання колектора (макс.): 15nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Список побажань

Taiwan Semiconductor Corporation

BC850CW RFG

частина: 205

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Список побажань

Taiwan Semiconductor Corporation

BC549C A1G

частина: 260

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - відсікання колектора (макс.): 15nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Список побажань

Taiwan Semiconductor Corporation

BC337-25 A1G

частина: 180

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 800mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 5V,

Список побажань

Taiwan Semiconductor Corporation

BC846A RFG

частина: 241

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 65V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

Список побажань

Taiwan Semiconductor Corporation

BC847CW RFG

частина: 189

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Список побажань

Taiwan Semiconductor Corporation

BC848BW RFG

частина: 246

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Список побажань

Taiwan Semiconductor Corporation

BC846B RFG

частина: 24305

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 65V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Список побажань

Taiwan Semiconductor Corporation

BC847B RFG

частина: 38702

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Список побажань

Taiwan Semiconductor Corporation

TSC742CZ C0G

частина: 123

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 420V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 3.5A, Струм - відсікання колектора (макс.): 250µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 48 @ 100mA, 5V,

Список побажань

Taiwan Semiconductor Corporation

KTC3198-GR B1G

частина: 104

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V,

Список побажань

Taiwan Semiconductor Corporation

KTC3198-BL B1G

частина: 125

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V,

Список побажань

Taiwan Semiconductor Corporation

TSA894CT B0G

частина: 147

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 500V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 10V,

Список побажань

Taiwan Semiconductor Corporation

TSC5303DCHC5G

частина: 203

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 400V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 400mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 5V,

Список побажань

Taiwan Semiconductor Corporation

TSC5302DCHC5G

частина: 163

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 400V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 1A, Струм - відсікання колектора (макс.): 1µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 10 @ 400mA, 5V,

Список побажань

Taiwan Semiconductor Corporation

KTC3198-Y B1G

частина: 143

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V,

Список побажань

Taiwan Semiconductor Corporation

KTC3198-O B1G

частина: 89

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V,

Список побажань

Taiwan Semiconductor Corporation

TSC5802DCHC5G

частина: 172

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 2.5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 450V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 600mA, 2A, Струм - відсікання колектора (макс.): 250µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 5V,

Список побажань

Taiwan Semiconductor Corporation

TSC5304EDCHC5G

частина: 122

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 400V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 2.5A, Струм - відсікання колектора (макс.): 250µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 17 @ 1A, 5V,

Список побажань

Taiwan Semiconductor Corporation

TSC5804DCHC5G

частина: 198

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 450V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2V @ 1A, 3.5A, Струм - відсікання колектора (макс.): 250µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 25 @ 200mA, 3V,

Список побажань

Taiwan Semiconductor Corporation

TS13005CK B0G

частина: 86

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 400V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 2.5A, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 24 @ 425mA, 2V,

Список побажань

Taiwan Semiconductor Corporation

TSB772CK C0G

частина: 305

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Струм - відсікання колектора (макс.): 1µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V,

Список побажань

Taiwan Semiconductor Corporation

KTC3198-O A1G

частина: 190

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V,

Список побажань

Taiwan Semiconductor Corporation

TSC5804DCP ROG

частина: 215

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 450V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2V @ 1A, 3.5A, Струм - відсікання колектора (макс.): 250µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 25 @ 200mA, 3V,

Список побажань

Taiwan Semiconductor Corporation

TSA1765CW RPG

частина: 315

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 560V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 10V,

Список побажань

Taiwan Semiconductor Corporation

TS13002ACT B0G

частина: 249

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 300mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 400V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 20mA, 200mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 1µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 25 @ 100mA, 10V,

Список побажань

Taiwan Semiconductor Corporation

KTC3198-BL A1G

частина: 178

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V,

Список побажань

Taiwan Semiconductor Corporation

TSC741CZ C0G

частина: 163

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 2.5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 450V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2V @ 600mA, 2A, Струм - відсікання колектора (макс.): 250µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 5V,

Список побажань

Taiwan Semiconductor Corporation

KTC3198-Y A1G

частина: 206

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V,

Список побажань

Taiwan Semiconductor Corporation

TSA884CX RFG

частина: 212

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 500V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 10V,

Список побажань

Taiwan Semiconductor Corporation

TSC5802DCP ROG

частина: 197

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 2.5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 450V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 600mA, 2A, Струм - відсікання колектора (макс.): 250µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 5V,

Список побажань

Taiwan Semiconductor Corporation

TSA874CW RPG

частина: 317

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 500V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 10V,

Список побажань

134

«
1
2
3
4
»