Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Діоди - Випрямлячі - одинарні

  • Додому
  •  
  • Діоди - Випрямлячі - одинарні
RSFGL MQG
Taiwan Semiconductor Corporation

RSFGL MQG

частина: 219

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 400V, Струм - середній випрямлений (Io): 500mA, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.3V @ 500mA, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 150ns,

Список побажань
SS12L RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS12L RFG

частина: 176

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 20V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 450mV @ 1A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
S1GL RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

S1GL RFG

частина: 226

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 400V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.1V @ 1A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 1.8µs,

Список побажань
ES1HM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1HM2G

частина: 173

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 500V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.7V @ 1A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 35ns,

Список побажань
ES1DL RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1DL RHG

частина: 216

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 950mV @ 1A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 35ns,

Список побажань
RS1DL MTG
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1DL MTG

частина: 212

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Струм - середній випрямлений (Io): 800mA, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.3V @ 800mA, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 150ns,

Список побажань
RS1ALHMTG
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1ALHMTG

частина: 209

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 50V, Струм - середній випрямлений (Io): 800mA, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.3V @ 800mA, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 150ns,

Список побажань
S1JL MHG
Taiwan Semiconductor Corporation

S1JL MHG

частина: 222

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.1V @ 1A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 1.8µs,

Список побажань
ES1AL MHG
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1AL MHG

частина: 175

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 50V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 950mV @ 1A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 35ns,

Список побажань
RSFBL RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

RSFBL RFG

частина: 199

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 100V, Струм - середній випрямлений (Io): 500mA, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.3V @ 500mA, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 150ns,

Список побажань
ES1CLHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1CLHM2G

частина: 197

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 150V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 950mV @ 1A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 35ns,

Список побажань
RS1GL MQG
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1GL MQG

частина: 205

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 400V, Струм - середній випрямлений (Io): 800mA, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.3V @ 800mA, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 150ns,

Список побажань
SS13LHMTG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS13LHMTG

частина: 210

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 30V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 500mV @ 1A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
ES1DLHMHG
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1DLHMHG

частина: 168

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 950mV @ 1A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 35ns,

Список побажань
SS19L RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS19L RFG

частина: 157

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 90V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 800mV @ 1A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
SS26LHRFG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS26LHRFG

частина: 210

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 60V, Струм - середній випрямлений (Io): 2A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 700mV @ 2A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
RSFML MTG
Taiwan Semiconductor Corporation

RSFML MTG

частина: 182

Тип діода: Standard, Струм - середній випрямлений (Io): 500mA, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.3V @ 500mA, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 500ns,

Список побажань
RSFBLHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

RSFBLHM2G

частина: 191

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 100V, Струм - середній випрямлений (Io): 500mA, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.3V @ 500mA, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 150ns,

Список побажань
S1KL RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

S1KL RHG

частина: 209

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 800V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.1V @ 1A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 1.8µs,

Список побажань
SS36L MTG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS36L MTG

частина: 140

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 60V, Струм - середній випрямлений (Io): 3A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 750mV @ 3A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
S1DL MHG
Taiwan Semiconductor Corporation

S1DL MHG

частина: 156

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.1V @ 1A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 1.8µs,

Список побажань
ES1CLHRTG
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1CLHRTG

частина: 229

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 150V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 950mV @ 1A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 35ns,

Список побажань
RSFMLHRHG
Taiwan Semiconductor Corporation

RSFMLHRHG

частина: 154

Тип діода: Standard, Струм - середній випрямлений (Io): 500mA, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.3V @ 500mA, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 500ns,

Список побажань
S1DLHMTG
Taiwan Semiconductor Corporation

S1DLHMTG

частина: 225

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.1V @ 1A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 1.8µs,

Список побажань
RS1AL MTG
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1AL MTG

частина: 206

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 50V, Струм - середній випрямлений (Io): 800mA, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.3V @ 800mA, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 150ns,

Список побажань
RSFKL MHG
Taiwan Semiconductor Corporation

RSFKL MHG

частина: 154

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 800V, Струм - середній випрямлений (Io): 500mA, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.3V @ 500mA, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 500ns,

Список побажань
ES1FL MQG
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1FL MQG

частина: 221

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 300V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.3V @ 1A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 35ns,

Список побажань
SS16LHMHG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS16LHMHG

частина: 201

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 60V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 700mV @ 1A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
S1GL M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

S1GL M2G

частина: 198

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 400V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.1V @ 1A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 1.8µs,

Список побажань
SS36L RTG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS36L RTG

частина: 186

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 60V, Струм - середній випрямлений (Io): 3A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 750mV @ 3A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
RS1GLHMTG
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1GLHMTG

частина: 218

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 400V, Струм - середній випрямлений (Io): 800mA, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.3V @ 800mA, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 150ns,

Список побажань
S1GLHMTG
Taiwan Semiconductor Corporation

S1GLHMTG

частина: 219

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 400V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.1V @ 1A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 1.8µs,

Список побажань
SS210LHRFG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS210LHRFG

частина: 213

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 100V, Струм - середній випрямлений (Io): 2A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 850mV @ 2A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
HS1ML RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

HS1ML RFG

частина: 195

Тип діода: Standard, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.7V @ 1A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 75ns,

Список побажань
S1GLHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation

S1GLHRVG

частина: 184

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 400V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.1V @ 1A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 1.8µs,

Список побажань
SS25L MQG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS25L MQG

частина: 221

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 50V, Струм - середній випрямлений (Io): 2A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 700mV @ 2A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань