Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Діоди - Випрямлячі - одинарні

  • Додому
  •  
  • Діоди - Випрямлячі - одинарні
SK39B R5G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK39B R5G

частина: 85

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 90V, Струм - середній випрямлений (Io): 3A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 850mV @ 3A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
RS3D V7G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS3D V7G

частина: 103

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Струм - середній випрямлений (Io): 3A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 150ns,

Список побажань
US1BHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

US1BHR3G

частина: 91

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 100V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1V @ 1A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 50ns,

Список побажань
SK39AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK39AHM2G

частина: 95

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 90V, Струм - середній випрямлений (Io): 3A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 850mV @ 3A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
SS25HM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS25HM4G

частина: 113

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 50V, Струм - середній випрямлений (Io): 2A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 700mV @ 2A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
US1BHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

US1BHM2G

частина: 101

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 100V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1V @ 1A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 50ns,

Список побажань
SK36B M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK36B M4G

частина: 98

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 60V, Струм - середній випрямлений (Io): 3A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 750mV @ 3A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
ES3DV V7G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES3DV V7G

частина: 68

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Струм - середній випрямлений (Io): 3A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 20ns,

Список побажань
SK25A R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK25A R3G

частина: 95

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 50V, Струм - середній випрямлений (Io): 2A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 700mV @ 2A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
RS2BAHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS2BAHM2G

частина: 108

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 100V, Струм - середній випрямлений (Io): 1.5A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.3V @ 1.5A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 150ns,

Список побажань
S12KC V7G
Taiwan Semiconductor Corporation

S12KC V7G

частина: 102

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 800V, Струм - середній випрямлений (Io): 12A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.1V @ 12A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
S2JHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

S2JHM4G

частина: 46

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Io): 2A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.15V @ 2A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 1.5µs,

Список побажань
S3A V7G
Taiwan Semiconductor Corporation

S3A V7G

частина: 120

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 50V, Струм - середній випрямлений (Io): 3A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 1.5µs,

Список побажань
S3JB M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

S3JB M4G

частина: 88

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Io): 3A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.15V @ 3A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 1.5µs,

Список побажань
SK55B M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK55B M4G

частина: 129

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 50V, Струм - середній випрямлений (Io): 5A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 750mV @ 5A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
HS3G V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

HS3G V6G

частина: 79

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 400V, Струм - середній випрямлений (Io): 3A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 50ns,

Список побажань
S2D M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

S2D M4G

частина: 137

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Струм - середній випрямлений (Io): 2A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.15V @ 2A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 1.5µs,

Список побажань
SS110 M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS110 M2G

частина: 102

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 100V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 800mV @ 1A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MUR340S V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR340S V6G

частина: 46

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 400V, Струм - середній випрямлений (Io): 3A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 50ns,

Список побажань
ES2GHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES2GHM4G

частина: 78

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 400V, Струм - середній випрямлений (Io): 2A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.3V @ 2A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 35ns,

Список побажань
HS5K V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

HS5K V6G

частина: 53

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 800V, Струм - середній випрямлений (Io): 5A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 75ns,

Список побажань
SS29HM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS29HM4G

частина: 129

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 90V, Струм - середній випрямлений (Io): 2A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 850mV @ 2A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
HS1K M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

HS1K M2G

частина: 114

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 800V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.7V @ 1A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 75ns,

Список побажань
SSL23HM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SSL23HM4G

частина: 94

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 30V, Струм - середній випрямлений (Io): 2A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 410mV @ 2A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
US1D M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

US1D M2G

частина: 74

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1V @ 1A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 50ns,

Список побажань
HS1A R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

HS1A R3G

частина: 61

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 50V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1V @ 1A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 50ns,

Список побажань
SK82C V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK82C V6G

частина: 102

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 20V, Струм - середній випрямлений (Io): 8A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
HS5G V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

HS5G V6G

частина: 64

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 400V, Струм - середній випрямлений (Io): 5A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 50ns,

Список побажань
RS2AAHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS2AAHM2G

частина: 87

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 50V, Струм - середній випрямлений (Io): 1.5A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.3V @ 1.5A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 150ns,

Список побажань
ES2J M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES2J M4G

частина: 65

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Io): 2A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.7V @ 2A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 35ns,

Список побажань
RS2GAHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS2GAHM2G

частина: 95

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 400V, Струм - середній випрямлений (Io): 1.5A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.3V @ 1.5A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 150ns,

Список побажань
S1JBHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

S1JBHM4G

частина: 85

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.1V @ 1A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
HS2GA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

HS2GA M2G

частина: 82

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 400V, Струм - середній випрямлений (Io): 1.5A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.3V @ 1.5A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 50ns,

Список побажань
SS32 V7G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS32 V7G

частина: 88

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 20V, Струм - середній випрямлений (Io): 3A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
US1DHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

US1DHM2G

частина: 80

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1V @ 1A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 50ns,

Список побажань
ESH3B V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

ESH3B V6G

частина: 125

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 100V, Струм - середній випрямлений (Io): 3A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 20ns,

Список побажань