Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EEPROM, Технологія: EEPROM, Обсяг пам'яті: 64Kb (8K x 8), Тактова частота: 400kHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 5ms,
Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EEPROM, Технологія: EEPROM, Обсяг пам'яті: 4Kb (512 x 8), Тактова частота: 400kHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 5ms,
Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EEPROM, Технологія: EEPROM, Обсяг пам'яті: 2Kb (128 x 16), Тактова частота: 2MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 5ms,
Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 50ns,
Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH, Обсяг пам'яті: 128Mb (8M x 8 x 2, 4M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 110ns,
Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EEPROM, Технологія: EEPROM, Обсяг пам'яті: 16Kb (2K x 8), Тактова частота: 400kHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 5ms,
Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EEPROM, Технологія: EEPROM, Обсяг пам'яті: 2Kb (256 x 8, 128 x 16), Тактова частота: 2MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 5ms,
Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EEPROM, Технологія: EEPROM, Обсяг пам'яті: 4Kb (512 x 8), Тактова частота: 400kHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 5ms,
Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 1Mb (128K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,
Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4Mb (256K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,
Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EEPROM, Технологія: EEPROM, Обсяг пам'яті: 1Kb (128 x 8, 64 x 16), Тактова частота: 2MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 5ms,
Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EEPROM, Технологія: EEPROM, Обсяг пам'яті: 8Kb (1K x 8), Тактова частота: 20MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 5ms,
Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH, Обсяг пам'яті: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 90ns,
Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EEPROM, Технологія: EEPROM, Обсяг пам'яті: 1Kb (128 x 8, 64 x 16), Тактова частота: 2MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 5ms,
Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 256Kb (32K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 100ns,
Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 256Kb (32K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,
Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EEPROM, Технологія: EEPROM, Обсяг пам'яті: 4Kb (512 x 8), Тактова частота: 400kHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 5ms,
