Транзистори - транзистори, транзистори MOSF - один

STS26N3LLH6

STS26N3LLH6

частина: 64958

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 26A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 13A, 10V,

Список побажань
STH240N10F7-6

STH240N10F7-6

частина: 36967

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 180A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 60A, 10V,

Список побажань
STY145N65M5

STY145N65M5

частина: 1781

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 650V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 138A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 69A, 10V,

Список побажань
STB34NM60N

STB34NM60N

частина: 15924

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 29A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 14.5A, 10V,

Список побажань
STF260N4F7

STF260N4F7

частина: 262

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 90A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 60A, 10V,

Список побажань
STL100N8F7

STL100N8F7

частина: 61649

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 80V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1 Ohm @ 10A, 10V,

Список побажань
STF24N60M2

STF24N60M2

частина: 10659

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 18A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 9A, 10V,

Список побажань
STP11NM80

STP11NM80

частина: 11372

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 800V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 11A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 5.5A, 10V,

Список побажань
STW40N60M2-4

STW40N60M2-4

частина: 17050

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 34A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88 mOhm @ 17A, 10V,

Список побажань
STL7LN80K5

STL7LN80K5

частина: 77121

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 800V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15 Ohm @ 2.5A, 10V,

Список побажань
STB21N65M5

STB21N65M5

частина: 23868

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 650V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 17A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 8.5A, 10V,

Список побажань
STF7NM60N

STF7NM60N

частина: 25677

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 2.5A, 10V,

Список побажань
STW18N60DM2

STW18N60DM2

частина: 23005

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 12A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295 mOhm @ 6A, 10V,

Список побажань
STY60NM60

STY60NM60

частина: 5137

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 60A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 30A, 10V,

Список побажань
STL10N65M2

STL10N65M2

частина: 77940

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 650V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.5A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 2.5A, 10V,

Список побажань
STB17N80K5

STB17N80K5

частина: 32813

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 800V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 14A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340 mOhm @ 7A, 10V,

Список побажань
STL140N4F7AG

STL140N4F7AG

частина: 89339

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 120A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 16A, 10V,

Список побажань
STP12N65M2

STP12N65M2

частина: 80276

Список побажань
STL3N65M2

STL3N65M2

частина: 182887

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 650V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.3A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 1A, 10V,

Список побажань
STFW69N65M5

STFW69N65M5

частина: 4594

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 650V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 58A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 29A, 10V,

Список побажань
STP10N60M2

STP10N60M2

частина: 39180

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 7.5A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3A, 10V,

Список побажань
STF7N80K5

STF7N80K5

частина: 22013

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 800V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 3A, 10V,

Список побажань
STF10N95K5

STF10N95K5

частина: 22883

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 950V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 4A, 10V,

Список побажань
STP3N80K5

STP3N80K5

частина: 34747

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 800V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.5A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 1A, 10V,

Список побажань
STP13NM60N

STP13NM60N

частина: 17197

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 11A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 5.5A, 10V,

Список побажань
STL12HN65M2

STL12HN65M2

частина: 73690

Список побажань
STH290N4F6-2AG

STH290N4F6-2AG

частина: 34218

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 180A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 Ohm @ 45A, 10V,

Список побажань
STW31N65M5

STW31N65M5

частина: 10429

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 650V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 22A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 148 mOhm @ 11A, 10V,

Список побажань
STL5N80K5

STL5N80K5

частина: 99091

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 800V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75 Ohm @ 2A, 10V,

Список побажань
STH270N8F7-6

STH270N8F7-6

частина: 17306

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 80V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 180A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1 mOhm @ 90A, 10V,

Список побажань
STL130N6F7

STL130N6F7

частина: 68035

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 130A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 13A, 10V,

Список побажань
STB120N4F6

STB120N4F6

частина: 45310

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 80A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 40A, 10V,

Список побажань
STF11N60DM2

STF11N60DM2

частина: 40764

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 10A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 5A, 10V,

Список побажань
STB6N80K5

STB6N80K5

частина: 77836

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 800V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.5A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 2A, 10V,

Список побажань
STS5P3LLH6

STS5P3LLH6

частина: 190230

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56 mOhm @ 2.5A, 10V,

Список побажань
STW20N65M5

STW20N65M5

частина: 20308

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 650V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 18A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 9A, 10V,

Список побажань