Оптичні датчики - Фотопереривачі - Тип гнізда - Тр

GP1S56TJ000F

частина: 6037

Зондування відстані: 0.079" (2mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 35V,

GP1S092HCPI

частина: 6077

Зондування відстані: 0.079" (2mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 35V,

GP1S39J0000F

частина: 5998

Зондування відстані: 0.059" (1.5mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 35V,

GP1S58V

частина: 9689

Зондування відстані: 0.197" (5mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 35V,

GP1S25

частина: 5983

Зондування відстані: 0.063" (1.6mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 35V,

GP1S560J000F

частина: 9600

Зондування відстані: 0.079" (2mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 35V,

GP1L52V

частина: 5942

Зондування відстані: 0.118" (3mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Photodarlington, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 40mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 35V,

GP1S093HCZ

частина: 6033

Зондування відстані: 0.079" (2mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 35V,

GP1L57

частина: 9614

Зондування відстані: 0.394" (10mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Photodarlington, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 40mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 35V,

GP1S560

частина: 6018

Зондування відстані: 0.079" (2mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 35V,

GP1S25J0000F

частина: 6086

Зондування відстані: 0.063" (1.6mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 35V,

GP1S58VJ000F

частина: 56854

Зондування відстані: 0.197" (5mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 35V,

GP1S74P

частина: 5987

Зондування відстані: 0.197" (5mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 35V,

GP1L53V

частина: 6051

Зондування відстані: 0.197" (5mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Photodarlington, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 40mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 35V,

GP1S73P

частина: 6115

Зондування відстані: 0.197" (5mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 35V,

GP1S561

частина: 6031

Зондування відстані: 0.118" (3mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 35V,

GP1S196HCZSF

частина: 6066

Зондування відстані: 0.043" (1.1mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 30mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 35V,

GP1S56T

частина: 6022

Зондування відстані: 0.079" (2mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 35V,

GP1S097HCZ0F

частина: 101705

Зондування відстані: 0.079" (2mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 35V,

GP1S59

частина: 6127

Зондування відстані: 0.165" (4.2mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 35V,

GP1S74PJ000F

частина: 5965

Зондування відстані: 0.197" (5mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 35V,

GP1S52V

частина: 6012

Зондування відстані: 0.118" (3mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 35V,

GP1S097HCZ

частина: 5970

Зондування відстані: 0.079" (2mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 35V,

GP1S094HCZ

частина: 9672

Зондування відстані: 0.118" (3mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 35V,

GP1L52VJ000F

частина: 5990

Зондування відстані: 0.118" (3mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Photodarlington, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 40mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 35V,

GP1S95

частина: 5977

Зондування відстані: 0.063" (1.6mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 35V,

GP1S096HCZ

частина: 9698

Зондування відстані: 0.039" (1mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 35V,

GP1S096HCZ0F

частина: 5977

Зондування відстані: 0.039" (1mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 35V,

GP1S51V

частина: 6061

Зондування відстані: 0.118" (3mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 35V,

GP1S53V

частина: 5992

Зондування відстані: 0.197" (5mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 35V,

GP1S73P2

частина: 6058

Зондування відстані: 0.197" (5mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 35V,

GP1S525V

частина: 83304

Зондування відстані: 0.197" (5mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 20mA,

GP1S73P2J00F

частина: 6125

Зондування відстані: 0.197" (5mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 35V,

GP1S95J0000F

частина: 6002

Зондування відстані: 0.063" (1.6mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 35V,

GP1S73PJ000F

частина: 6019

Зондування відстані: 0.197" (5mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 35V,

GP1S273LCS1F

частина: 5961