Вихідна конфігурація: Half Bridge, Програми: General Purpose, Інтерфейс: On/Off, Тип навантаження: Inductive, Технологія: Power MOSFET, Rds On (тип): 1.53 Ohm,
Вихідна конфігурація: Half Bridge, Програми: General Purpose, Інтерфейс: On/Off, Тип навантаження: Inductive, Технологія: Power MOSFET, Rds On (тип): 400 mOhm,
Вихідна конфігурація: Half Bridge, Програми: General Purpose, Інтерфейс: On/Off, Тип навантаження: Inductive, Технологія: Power MOSFET, Rds On (тип): 1 Ohm,
Вихідна конфігурація: Half Bridge, Програми: General Purpose, Інтерфейс: On/Off, Тип навантаження: Inductive, Технологія: Power MOSFET, Rds On (тип): 740 mOhm,
Вихідна конфігурація: Half Bridge, Програми: General Purpose, Інтерфейс: On/Off, Тип навантаження: Inductive, Технологія: Power MOSFET, Rds On (тип): 600 mOhm,
Вихідна конфігурація: Half Bridge, Програми: General Purpose, Інтерфейс: On/Off, Тип навантаження: Inductive, Технологія: Power MOSFET, Rds On (тип): 1 Ohm,
Вихідна конфігурація: Half Bridge, Програми: General Purpose, Інтерфейс: On/Off, Тип навантаження: Inductive, Технологія: Power MOSFET, Rds On (тип): 740 mOhm,
Вихідна конфігурація: Half Bridge, Програми: General Purpose, Інтерфейс: On/Off, Тип навантаження: Inductive, Технологія: Power MOSFET, Rds On (тип): 260 mOhm,
Вихідна конфігурація: Half Bridge, Програми: General Purpose, Інтерфейс: On/Off, Тип навантаження: Inductive, Технологія: Power MOSFET, Rds On (тип): 600 mOhm,
Вихідна конфігурація: Half Bridge, Програми: General Purpose, Інтерфейс: On/Off, Тип навантаження: Inductive, Технологія: Power MOSFET, Rds On (тип): 1.53 Ohm,
