Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Транзистори - біполярні (BJT) - масиви, попередньо

  • Додому
  •  
  • Транзистори - біполярні (BJT) - масиви, попередньо
PEMH13,115
Nexperia USA Inc.

PEMH13,115

частина: 181198

Транзисторний тип: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

Список побажань
PUMD48,125
Nexperia USA Inc.

PUMD48,125

частина: 154082

Транзисторний тип: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, 2.2 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V / 100 @ 10mA, 5V,

Список побажань
PUMB10,115
Nexperia USA Inc.

PUMB10,115

частина: 159782

Транзисторний тип: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

Список побажань
PEMH15,115
Nexperia USA Inc.

PEMH15,115

частина: 192225

Транзисторний тип: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 4.7 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Список побажань
PUMD30,115
Nexperia USA Inc.

PUMD30,115

частина: 116876

Транзисторний тип: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V,

Список побажань
PUMD2/DG/B3,115
Nexperia USA Inc.

PUMD2/DG/B3,115

частина: 1523

Транзисторний тип: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 22 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

Список побажань
PUMB16,115
Nexperia USA Inc.

PUMB16,115

частина: 110356

Транзисторний тип: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

Список побажань
PUMD10,135
Nexperia USA Inc.

PUMD10,135

частина: 159290

Транзисторний тип: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

Список побажань
PBLS4001Y,115
Nexperia USA Inc.

PBLS4001Y,115

частина: 170779

Транзисторний тип: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, 40V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 2.2 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V,

Список побажань
PBLS2004D,115
Nexperia USA Inc.

PBLS2004D,115

частина: 183424

Транзисторний тип: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, 1A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, 20V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 22 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V / 220 @ 500mA, 2V,

Список побажань
PEMD9,115
Nexperia USA Inc.

PEMD9,115

частина: 150901

Транзисторний тип: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V,

Список побажань
PUMD48,115
Nexperia USA Inc.

PUMD48,115

частина: 144432

Транзисторний тип: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, 2.2 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V / 100 @ 10mA, 5V,

Список побажань
PBLS1504Y,115
Nexperia USA Inc.

PBLS1504Y,115

частина: 174132

Транзисторний тип: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, 15V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 22 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V,

Список побажань
PUMD15,115
Nexperia USA Inc.

PUMD15,115

частина: 136489

Транзисторний тип: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 4.7 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Список побажань
PUMD16,115
Nexperia USA Inc.

PUMD16,115

частина: 167856

Транзисторний тип: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

Список побажань
PBLS2001D,115
Nexperia USA Inc.

PBLS2001D,115

частина: 161521

Транзисторний тип: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, 1A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, 20V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 2.2 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V / 220 @ 500mA, 2V,

Список побажань
PUMH2,115
Nexperia USA Inc.

PUMH2,115

частина: 114659

Транзисторний тип: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

Список побажань
PUMB2F
Nexperia USA Inc.

PUMB2F

частина: 100

Транзисторний тип: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

Список побажань
PUMD12/DG/B3,115
Nexperia USA Inc.

PUMD12/DG/B3,115

частина: 1543

Транзисторний тип: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

Список побажань
PIMC31,115
Nexperia USA Inc.

PIMC31,115

частина: 114489

Транзисторний тип: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 1 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 10 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

Список побажань
PUMD14,115
Nexperia USA Inc.

PUMD14,115

частина: 180106

Транзисторний тип: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Список побажань
PUMD3,135
Nexperia USA Inc.

PUMD3,135

частина: 110995

Транзисторний тип: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 10 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Список побажань
PUMD2/DG/B3,135
Nexperia USA Inc.

PUMD2/DG/B3,135

частина: 3219

Транзисторний тип: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 22 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

Список побажань
PBLS2002D,115
Nexperia USA Inc.

PBLS2002D,115

частина: 108501

Транзисторний тип: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, 1A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, 20V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 4.7 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V / 220 @ 500mA, 2V,

Список побажань
PBLS1501Y,115
Nexperia USA Inc.

PBLS1501Y,115

частина: 169978

Транзисторний тип: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, 15V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 2.2 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V,

Список побажань
PUMB11,135
Nexperia USA Inc.

PUMB11,135

частина: 145610

Транзисторний тип: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 10 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Список побажань
PRMD16Z
Nexperia USA Inc.

PRMD16Z

частина: 105831

Транзисторний тип: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

Список побажань
PUMF12,115
Nexperia USA Inc.

PUMF12,115

частина: 163853

Транзисторний тип: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, 40V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V / 120 @ 1mA, 6V,

Список побажань
PBLS6003D,115
Nexperia USA Inc.

PBLS6003D,115

частина: 184275

Транзисторний тип: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, 700mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, 60V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 10 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 150 @ 500mA, 5V,

Список побажань
PIMH9,115
Nexperia USA Inc.

PIMH9,115

частина: 180289

Транзисторний тип: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V,

Список побажань
PBLS4003Y,115
Nexperia USA Inc.

PBLS4003Y,115

частина: 189757

Транзисторний тип: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, 40V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 10 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA. 2V,

Список побажань
PUMH17,115
Nexperia USA Inc.

PUMH17,115

частина: 144227

Транзисторний тип: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 22 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

Список побажань
PRMD2Z
Nexperia USA Inc.

PRMD2Z

частина: 141383

Транзисторний тип: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 22 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

Список побажань
PEMD3,115
Nexperia USA Inc.

PEMD3,115

частина: 108727

Транзисторний тип: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 10 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Список побажань
PUMH2/DG/B3,115
Nexperia USA Inc.

PUMH2/DG/B3,115

частина: 3195

Транзисторний тип: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

Список побажань
PEMH11,115
Nexperia USA Inc.

PEMH11,115

частина: 199221

Транзисторний тип: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 10 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Список побажань