Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Транзистори - біполярні (BJT) - одинарні, попередн

  • Додому
  •  
  • Транзистори - біполярні (BJT) - одинарні, попередн
PDTA114YQAZ
Nexperia USA Inc.

PDTA114YQAZ

частина: 119778

Транзисторний тип: PNP - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V,

Список побажань
PDTA144WM,315
Nexperia USA Inc.

PDTA144WM,315

частина: 130610

Транзисторний тип: PNP - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 22 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

Список побажань
PDTA114YM,315
Nexperia USA Inc.

PDTA114YM,315

частина: 166222

Транзисторний тип: PNP - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V,

Список побажань
PDTA123TMB,315
Nexperia USA Inc.

PDTA123TMB,315

частина: 175719

Транзисторний тип: PNP - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V,

Список побажань
PDTA113EMB,315
Nexperia USA Inc.

PDTA113EMB,315

частина: 142811

Транзисторний тип: PNP - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 1 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 1 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 30 @ 40mA, 5V,

Список побажань
PDTC123YM,315
Nexperia USA Inc.

PDTC123YM,315

частина: 132880

Транзисторний тип: NPN - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 10 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V,

Список побажань
PDTB143XQAZ
Nexperia USA Inc.

PDTB143XQAZ

частина: 160378

Транзисторний тип: PNP - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 10 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

Список побажань
PDTB123EQAZ
Nexperia USA Inc.

PDTB123EQAZ

частина: 182246

Транзисторний тип: PNP - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 2.2 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V,

Список побажань
PDTA123JQAZ
Nexperia USA Inc.

PDTA123JQAZ

частина: 146620

Транзисторний тип: PNP - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

Список побажань
PDTC143ZM,315
Nexperia USA Inc.

PDTC143ZM,315

частина: 152042

Транзисторний тип: NPN - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

Список побажань
PDTA144EM,315
Nexperia USA Inc.

PDTA144EM,315

частина: 193086

Транзисторний тип: PNP - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

Список побажань
PDTC123EMB,315
Nexperia USA Inc.

PDTC123EMB,315

частина: 163318

Транзисторний тип: NPN - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 2.2 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V,

Список побажань
PDTD114EQAZ
Nexperia USA Inc.

PDTD114EQAZ

частина: 189828

Транзисторний тип: NPN - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 10 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

Список побажань
PDTA143XQAZ
Nexperia USA Inc.

PDTA143XQAZ

частина: 109011

Транзисторний тип: PNP - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 10 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Список побажань
PDTB114EQAZ
Nexperia USA Inc.

PDTB114EQAZ

частина: 123069

Транзисторний тип: PNP - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 10 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

Список побажань
PDTA143ZM,315
Nexperia USA Inc.

PDTA143ZM,315

частина: 119654

Транзисторний тип: PNP - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

Список побажань
PDTC114YQAZ
Nexperia USA Inc.

PDTC114YQAZ

частина: 100962

Транзисторний тип: NPN - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V,

Список побажань
PDTC144VMB,315
Nexperia USA Inc.

PDTC144VMB,315

частина: 124898

Транзисторний тип: NPN - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 10 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 40 @ 5mA, 5V,

Список побажань
PDTA114EM,315
Nexperia USA Inc.

PDTA114EM,315

частина: 190834

Транзисторний тип: PNP - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 10 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Список побажань
PDTC143TMB,315
Nexperia USA Inc.

PDTC143TMB,315

частина: 120761

Транзисторний тип: NPN - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V,

Список побажань
PDTA115EMB,315
Nexperia USA Inc.

PDTA115EMB,315

частина: 155778

Транзисторний тип: PNP - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 100 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 100 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

Список побажань
PDTA124XMB,315
Nexperia USA Inc.

PDTA124XMB,315

частина: 171934

Транзисторний тип: PNP - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

Список побажань
PDTA144VM,315
Nexperia USA Inc.

PDTA144VM,315

частина: 120475

Транзисторний тип: PNP - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 10 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 40 @ 5mA, 5V,

Список побажань
PDTA144TMB,315
Nexperia USA Inc.

PDTA144TMB,315

частина: 141191

Транзисторний тип: PNP - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Список побажань
PDTA124EM,315
Nexperia USA Inc.

PDTA124EM,315

частина: 159243

Транзисторний тип: PNP - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 22 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

Список побажань
PDTA144EQAZ
Nexperia USA Inc.

PDTA144EQAZ

частина: 189508

Транзисторний тип: PNP - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

Список побажань
PDTA143TM,315
Nexperia USA Inc.

PDTA143TM,315

частина: 163442

Транзисторний тип: PNP - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V,

Список побажань
PDTC123YMB,315
Nexperia USA Inc.

PDTC123YMB,315

частина: 197399

Транзисторний тип: NPN - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 10 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V,

Список побажань
PDTC123TMB,315
Nexperia USA Inc.

PDTC123TMB,315

частина: 169349

Транзисторний тип: NPN - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V,

Список побажань
PDTC144EQAZ
Nexperia USA Inc.

PDTC144EQAZ

частина: 174674

Транзисторний тип: NPN - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

Список побажань
PDTC143EMB,315
Nexperia USA Inc.

PDTC143EMB,315

частина: 135464

Транзисторний тип: NPN - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 4.7 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Список побажань
PDTA144WMB,315
Nexperia USA Inc.

PDTA144WMB,315

частина: 122308

Транзисторний тип: PNP - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 22 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

Список побажань
PDTC124TM,315
Nexperia USA Inc.

PDTC124TM,315

частина: 157560

Транзисторний тип: NPN - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Список побажань
PDTA123EMB,315
Nexperia USA Inc.

PDTA123EMB,315

частина: 199181

Транзисторний тип: PNP - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 2.2 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V,

Список побажань
PDTB113EQAZ
Nexperia USA Inc.

PDTB113EQAZ

частина: 158208

Транзисторний тип: PNP - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 1 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 1 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V,

Список побажань
PDTA143TMB,315
Nexperia USA Inc.

PDTA143TMB,315

частина: 141527

Транзисторний тип: PNP - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V,

Список побажань