Транзистори - транзистори, транзистори MOSF - один

PSMN005-30K,518

частина: 148154

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 20A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 15A, 10V,

PHP18NQ10T,127

частина: 68496

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 18A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 9A, 10V,

PSMN8R0-40PS,127

частина: 55981

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 77A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6 mOhm @ 25A, 10V,

PSMN8R7-80PS,127

частина: 42427

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 80V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 90A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7 mOhm @ 10A, 10V,

PSMN2R6-60PSQ

частина: 24501

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 150A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 25A, 10V,

PHK5NQ15T,518

частина: 104634

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 150V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5A (Tc), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 5A, 10V,

PSMN8R5-100PSQ

частина: 33060

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100A (Tj), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 25A, 10V,

PSMN2R0-60ES,127

частина: 20919

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 120A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 25A, 10V,

PSMN027-100BS,118

частина: 121277

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 37A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.8 mOhm @ 15A, 10V,

PHP29N08T,127

частина: 52744

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 75V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 27A (Tc), Приводна напруга: 11V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 14A, 11V,

PSMN015-100B,118

частина: 63107

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 25A, 10V,

PH20100S,115

частина: 9764

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 34.3A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 10A, 10V,

PH4840S,115

частина: 58194

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 94.5A (Tc), Приводна напруга: 7V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1 mOhm @ 25A, 10V,

PSMN2R4-30YLDX

частина: 150771

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 25A, 10V,

PMPB15XP,115

частина: 135202

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 12V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8.2A (Ta), Приводна напруга: 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8.2A, 4.5V,

PSMN2R9-25YLC,115

частина: 196684

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 25V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.15 mOhm @ 25A, 10V,

PSMN2R0-30YLDX

частина: 179590

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 mOhm @ 25A, 10V,

PSMN2R4-30MLDX

частина: 103874

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 70A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 25A, 10V,

PH2230DLSX

частина: 9519

PMPB55XNEAX

частина: 176428

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.8A (Ta), Приводна напруга: 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 3.8A, 4.5V,

PSMN013-60YLX

частина: 122619

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 53A (Tc), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 15A, 10V,

PSMN1R5-25YL,115

частина: 107615

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 25V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 mOhm @ 15A, 10V,

PSMN011-30YLC,115

частина: 135511

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 37A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6 mOhm @ 10A, 10V,

PMN40UPE,115

частина: 9540

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.7A (Ta), Приводна напруга: 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 3A, 4.5V,

PMZB420UN,315

частина: 9523

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 900mA (Ta), Приводна напруга: 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490 mOhm @ 200mA, 4.5V,

PMV65XP/MIR

частина: 9575

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.8A (Ta), Приводна напруга: 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74 mOhm @ 2.8A, 4.5V,

PMV50EPEAR

частина: 118921

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.2A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 4.2A, 10V,

NX7002AKW,115

частина: 191223

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 170mA (Ta), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 Ohm @ 100mA, 10V,

PSMN1R1-25YLC,115

частина: 116866

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 25V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15 mOhm @ 25A, 10V,

PSMN025-80YLX

частина: 145257

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 80V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 37A (Tc), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 10A, 10V,

PSMN6R5-25YLC,115

частина: 196814

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 25V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 64A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 20A, 10V,

PMPB20XNEAZ

частина: 153821

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 7.5A (Ta), Приводна напруга: 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 7.5A, 4.5V,

PSMN075-100MSEX

частина: 149874

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 18A (Tj), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71 mOhm @ 5A, 10V,

PHB27NQ10T,118

частина: 94325

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 28A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 14A, 10V,

PSMN038-100K,518

частина: 133178

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 5.2A, 10V,

PHP79NQ08LT,127

частина: 58173

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 75V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 73A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 25A, 10V,