Вихідна конфігурація: Half Bridge, Програми: General Purpose, Інтерфейс: PWM, Тип навантаження: Inductive, Технологія: Power MOSFET, Rds On (тип): 100 mOhm,
Вихідна конфігурація: Half Bridge, Програми: General Purpose, Інтерфейс: PWM, Тип навантаження: Inductive, Технологія: Power MOSFET, Rds On (тип): 100 mOhm,
Вихідна конфігурація: Half Bridge, Програми: General Purpose, Інтерфейс: PWM, Тип навантаження: Inductive, Технологія: Power MOSFET, Rds On (тип): 100 mOhm,
Вихідна конфігурація: Half Bridge, Програми: General Purpose, Інтерфейс: PWM, Тип навантаження: Inductive, Технологія: Power MOSFET, Rds On (тип): 100 mOhm,
Вихідна конфігурація: Half Bridge, Програми: General Purpose, Інтерфейс: PWM, Тип навантаження: Inductive, Технологія: Power MOSFET, Rds On (тип): 100 mOhm,
Вихідна конфігурація: Half Bridge, Програми: General Purpose, Інтерфейс: PWM, Тип навантаження: Inductive, Технологія: Power MOSFET, Rds On (тип): 100 mOhm,