Пам'ять

MTFC32GAMALAM-WT

частина: 9843

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 256Gb (32G x 8),

MT53D512M32D2NP-046 AUT:D

частина: 4819

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 16Gb (512M x 32), Тактова частота: 2133MHz,

MT29F3T08EUHBBM4-3R:B

частина: 1978

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 3Tb (384G x 8), Тактова частота: 333MHz,

MT53B768M64D8WF-062 WT:D TR

частина: 1729

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 48Gb (768M x 64), Тактова частота: 1600MHz,

MT25QU02GCBB8E12-0AAT

частина: 82

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 2Gb (256M x 8), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 8ms, 2.8ms,

MT29F256G08AUEDBJ6-12:D

частина: 7517

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 256Gb (32G x 8), Тактова частота: 83MHz,

MTA8ATF51264AZ-2G1B1

частина: 7869

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR4, Обсяг пам'яті: 32Gb (512M x 64), Тактова частота: 1067MHz,

MT25QL02GCBB8E12-0AAT TR

частина: 56

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 2Gb (256M x 8), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 8ms, 2.8ms,

MT40A2G4WE-075E:B

частина: 2019

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR4, Обсяг пам'яті: 8Gb (2G x 4), Тактова частота: 1.33GHz,

MT46H256M32L4LE-48 WT:C

частина: 8226

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR, Обсяг пам'яті: 8Gb (256M x 32), Тактова частота: 208MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 14.4ns,

MT29F2G01AAAEDH4-IT:E TR

частина: 7378

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 2Gb (2G x 1),

MT29F8G01ADAFD12-AATES:F

частина: 3863

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 8Gb (8G x 1),

MT44K64M18RB-107E IT:A TR

частина: 6236

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: DRAM, Обсяг пам'яті: 1.125Gb (64Mb x 18), Тактова частота: 933MHz,

MT47H64M8SH-25E AAT:H

частина: 9602

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 512Mb (64M x 8), Тактова частота: 400MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

MT29F16G08ABCCBH1-10ITZ:C TR

частина: 3625

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 16Gb (2G x 8), Тактова частота: 100MHz,

MT53D384M32D2DS-053 AIT:C TR

частина: 6764

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 12Gb (384M x 32), Тактова частота: 1866MHz,

MT29F512G08CKECBH7-12:C

частина: 9133

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 512Gb (64G x 8), Тактова частота: 83MHz,

MT53B1024M64D8WF-062 WT:D

частина: 5141

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 64Gb (1G x 64), Тактова частота: 1600MHz,

MT29E1T208ECHBBJ4-3:B

частина: 8788

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 1.125Tb (144G x 8),

MTFC16GAKAECN-2M WT

частина: 8642

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 128Gb (16G x 8),

MT44K32M36RB-083E:A TR

частина: 6214

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: DRAM, Обсяг пам'яті: 1.125Gb (32Mb x 36), Тактова частота: 1200MHz,

MTA8ATF1G64AZ-2G3A1

частина: 7844

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR4, Обсяг пам'яті: 64Gb (1G x 64), Тактова частота: 1200MHz,

MT53D512M32D2NP-046 WT:D

частина: 4894

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 16Gb (512M x 32), Тактова частота: 2133MHz,

MT53B384M32D2DS-062 AUT:B

частина: 4321

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 12Gb (384M x 32), Тактова частота: 1600MHz,

MT52L512M64D4GN-107 WT:B

частина: 9704

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR3, Обсяг пам'яті: 32Gb (512M x 64), Тактова частота: 933MHz,

MT53D1024M64D8NW-053 WT:D TR

частина: 6635

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 64Gb (1G x 64), Тактова частота: 1866MHz,

MTFC16GAKAEDQ-AIT

частина: 993

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 128Gb (16G x 8),

MT44K32M36RB-093F:A

частина: 8299

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: DRAM, Обсяг пам'яті: 1.125Gb (32Mb x 36), Тактова частота: 1067MHz,

MT53B512M32D2NP-062 WT:D TR

частина: 6440

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 16Gb (512M x 32), Тактова частота: 1600MHz,

EMBA232B2PB-DV-F-D

частина: 4201

MT40A4G4FSE-083E:A TR

частина: 5973

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR4, Обсяг пам'яті: 16Gb (4G x 4), Тактова частота: 1.2GHz,

MT53B512M32D2GZ-062 WT ES:B

частина: 9823

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 16Gb (512M x 32), Тактова частота: 1600MHz,

MT49H16M18CTR-25:B

частина: 7798

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: DRAM, Обсяг пам'яті: 288Mb (16M x 18), Тактова частота: 400MHz,

MTFC32GAKAEEF-O1 AIT TR

частина: 7162

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 256Gb (32G x 8),

MT29F8G01ADAFD12-ITES:F TR

частина: 5842

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 8Gb (8G x 1),

MT41K512M8RG-093:N

частина: 9556

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3L, Обсяг пам'яті: 4Gb (512M x 8), Тактова частота: 1067MHz,