Пам'ять

MT47H64M16B7-5E:A TR

частина: 9360

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 1Gb (64M x 16), Тактова частота: 200MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

MT46H8M32LFB5-75 IT:A TR

частина: 5076

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR, Обсяг пам'яті: 256Mb (8M x 32), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

MT47H64M8B6-5E:D TR

частина: 594

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 512Mb (64M x 8), Тактова частота: 200MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

MT29F4T08CTHBBM5-3R:B TR

частина: 238

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 4Tb (512G x 8), Тактова частота: 333MHz,

MT47H64M16B7-37E:A TR

частина: 9387

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 1Gb (64M x 16), Тактова частота: 267MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

MT29F6T08ETHBBM5-3R:B

частина: 106

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 6Tb (768G x 8), Тактова частота: 333MHz,

MT48LC4M16A2F4-7E:G TR

частина: 832

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 64Mb (4M x 16), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 14ns,

MT47H128M8B7-37E L:A

частина: 9293

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 1Gb (128M x 8), Тактова частота: 267MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

MT47H128M8B7-5E:A TR

частина: 9211

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 1Gb (128M x 8), Тактова частота: 200MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

MT47H128M4B6-25E:D TR

частина: 648

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 512Mb (128M x 4), Тактова частота: 400MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

MT47H64M8B6-3 IT:D TR

частина: 670

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 512Mb (64M x 8), Тактова частота: 333MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

MT47H128M4B6-25:D TR

частина: 691

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 512Mb (128M x 4), Тактова частота: 400MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

MT47H64M8B6-37E:D TR

частина: 620

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 512Mb (64M x 8), Тактова частота: 267MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

MT47H64M8B6-25E:D TR

частина: 614

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 512Mb (64M x 8), Тактова частота: 400MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

MT47H256M4B7-37E:A TR

частина: 9156

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 1Gb (256M x 4), Тактова частота: 267MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

MT46H8M32LFB5-10 IT:A TR

частина: 543

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR, Обсяг пам'яті: 256Mb (8M x 32), Тактова частота: 104MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

MT48LC8M16A2F4-75 IT:G TR

частина: 873

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 128Mb (8M x 16), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

MT43A4G40200NFA-S15:A

частина: 205

MT29E6T08ETHBBM5-3:B TR

частина: 173

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 6Tb (768G x 8), Тактова частота: 333MHz,

MT47H32M16BN-25E IT:D TR

частина: 5153

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 400MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

MT47H64M16BT-3:A TR

частина: 5088

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 1Gb (64M x 16), Тактова частота: 333MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

MT29F6T08ETHBBM5-3R:B TR

частина: 126

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 6Tb (768G x 8), Тактова частота: 333MHz,

MT29E4T08CTHBBM5-3:B

частина: 115

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 4Tb (512G x 8), Тактова частота: 333MHz,

MT47H128M8B7-5E L:A

частина: 9239

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 1Gb (128M x 8), Тактова частота: 200MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

MT28F400B3WG-8 T

частина: 2960

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 80ns,

MT48LC32M8A2P-75 L:D TR

частина: 403

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 256Mb (32M x 8), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

MT48LC8M16LFB4-8 IT:G TR

частина: 1822

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPSDR, Обсяг пам'яті: 128Mb (8M x 16), Тактова частота: 125MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

MT47H32M16CC-37E:B

частина: 8453

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 267MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

MT28F400B3SG-8 B TR

частина: 2776

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 80ns,

MT48H8M32LFB5-10 IT TR

частина: 9249

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPSDR, Обсяг пам'яті: 256Mb (8M x 32), Тактова частота: 100MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

MT28F400B5WG-8 T

частина: 3159

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 80ns,

MT28F800B5SG-8 B TR

частина: 4110

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 80ns,

MT48LC8M16A2TG-75 L IT:G

частина: 1652

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 128Mb (8M x 16), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

MT48LC4M16A2TG-7E IT:G TR

частина: 833

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 64Mb (4M x 16), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 14ns,

MT48V8M32LFF5-8 IT TR

частина: 3749

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPSDR, Обсяг пам'яті: 256Mb (8M x 32), Тактова частота: 125MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

MT48LC32M8A2TG-6A:D

частина: 465

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 256Mb (32M x 8), Тактова частота: 167MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 12ns,