Технологія: Hall Effect, Вісь: X, Y, Z, Тип виходу: I²C, SPI, Напруга - живлення: 2.2V ~ 3.6V,
Технологія: Hall Effect, Вісь: X, Y, Z, Тип виходу: SPI, Діапазон зондування: 20mT ~ 70mT (X,Y), 24mT ~ 140mT (Z), Напруга - живлення: 4.5V ~ 5.5V, Струм - живлення (макс.): 16mA,
Технологія: Hall Effect, Вісь: X, Y, Z, Тип виходу: Analog, PWM, Діапазон зондування: 20mT ~ 70mT (X,Y), 24mT ~ 140mT (Z), Напруга - живлення: 4.5V ~ 5.5V, Струм - живлення (макс.): 16mA,
Технологія: Hall Effect, Вісь: X, Y, Z, Тип виходу: SENT, Діапазон зондування: 70mT (X,Y), 126mT (Z), Напруга - живлення: 4.5V ~ 5.5V, Струм - живлення (макс.): 10mA,
Технологія: Hall Effect, Вісь: X, Y, Z, Тип виходу: SPI, Діапазон зондування: 20mT ~ 70mT, 24mT ~ 126mT, Напруга - живлення: 4.5V ~ 5.5V, Струм - живлення (макс.): 15.5mA,
Технологія: Hall Effect, Вісь: X, Y, Z, Тип виходу: I²C, SPI, Напруга - живлення: 2.2V ~ 3.6V, Струм - живлення (макс.): 4mA,
Технологія: Hall Effect, Вісь: Single, Тип виходу: Analog Voltage, Діапазон зондування: 6mT ~ 650mT, Напруга - живлення: 4.5V ~ 5.5V, Струм - живлення (макс.): 10mA,
Технологія: Hall Effect, Тип виходу: Open Drain, Діапазон зондування: 0.5mT Trip, -0.5mT Release, Напруга - живлення: 4V ~ 24V, Струм - живлення (макс.): 12mA,
