PMIC - Драйвери шлюзу

IXDI509PI

частина: 6512

Керована конфігурація: Low-Side, Тип каналу: Single, Кількість водіїв: 1, Тип воріт: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4.5V ~ 30V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,

IXDF502SIA

частина: 6342

Керована конфігурація: Low-Side, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4.5V ~ 30V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 3V,

IXDI504SIA

частина: 6475

Керована конфігурація: Low-Side, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4.5V ~ 30V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 3V,

IXDI430MYI

частина: 6420

Керована конфігурація: Low-Side, Тип каналу: Single, Кількість водіїв: 1, Тип воріт: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 8.5V ~ 35V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 3.5V,

IXF611S1T/R

частина: 6748

IXDN514SIAT/R

частина: 8685

Керована конфігурація: Low-Side, Тип каналу: Single, Кількість водіїв: 1, Тип воріт: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4.5V ~ 30V, Логічна напруга - VIL, VIH: 1V, 2.5V,

IXDN402SIA

частина: 6596

Керована конфігурація: Low-Side, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4.5V ~ 35V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 3V,

IXS839S1T/R

частина: 6918

Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Synchronous, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4.5V ~ 5.5V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

IXDD415SI

частина: 6167

Керована конфігурація: Low-Side, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: N-Channel, P-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 8V ~ 30V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 3.5V,

IXG611S1

частина: 6815

IX2B11P7

частина: 5834

IX6R11P7

частина: 5665

Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: IGBT, N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 10V ~ 35V, Логічна напруга - VIL, VIH: 6V, 9.6V,

IXDE504D2T/R

частина: 6226

Керована конфігурація: Low-Side, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4.5V ~ 30V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 3V,

IXDN509SIA

частина: 6657

Керована конфігурація: Low-Side, Тип каналу: Single, Кількість водіїв: 1, Тип воріт: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4.5V ~ 30V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,

IXDF502D1

частина: 6310

Керована конфігурація: Low-Side, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4.5V ~ 30V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 3V,

IXS839S1

частина: 6874

Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Synchronous, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4.5V ~ 5.5V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

IXDE509PI

частина: 6326

Керована конфігурація: Low-Side, Тип каналу: Single, Кількість водіїв: 1, Тип воріт: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4.5V ~ 30V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,

IX2D11P7

частина: 5806

IXDN509PI

частина: 6651

Керована конфігурація: Low-Side, Тип каналу: Single, Кількість водіїв: 1, Тип воріт: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4.5V ~ 30V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,

IXA611S3

частина: 5970

Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: IGBT, N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 10V ~ 35V, Логічна напруга - VIL, VIH: 6V, 7V,

IX2B11S7T/R

частина: 5813

IXD611S1T/R

частина: 6029

Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: IGBT, N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 10V ~ 35V, Логічна напруга - VIL, VIH: 2.4V, 2.7V,

IXDI409CI

частина: 6415

Керована конфігурація: Low-Side, Тип каналу: Single, Кількість водіїв: 1, Тип воріт: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4.5V ~ 35V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 3.5V,

IXDF504D1

частина: 6344

Керована конфігурація: Low-Side, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4.5V ~ 30V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 3V,

IXDD509SIA

частина: 6211

Керована конфігурація: Low-Side, Тип каналу: Single, Кількість водіїв: 1, Тип воріт: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4.5V ~ 30V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,

IXDD409SI

частина: 6061

Керована конфігурація: Low-Side, Тип каналу: Single, Кількість водіїв: 1, Тип воріт: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4.5V ~ 35V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 3.5V,

IXDN509D1

частина: 6639

Керована конфігурація: Low-Side, Тип каналу: Single, Кількість водіїв: 1, Тип воріт: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4.5V ~ 30V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,

IXDD504SIA

частина: 6194

Керована конфігурація: Low-Side, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4.5V ~ 30V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 3V,

IXDD514D1T/R

частина: 6244

Керована конфігурація: Low-Side, Тип каналу: Single, Кількість водіїв: 1, Тип воріт: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4.5V ~ 30V, Логічна напруга - VIL, VIH: 1V, 2.5V,

IXS839AQ2

частина: 6830

Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Synchronous, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4.5V ~ 5.5V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

IXDN504SIAT/R

частина: 6666

Керована конфігурація: Low-Side, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4.5V ~ 30V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 3V,

IXDI509D1T/R

частина: 8715

Керована конфігурація: Low-Side, Тип каналу: Single, Кількість водіїв: 1, Тип воріт: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4.5V ~ 30V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,

IXD611P7

частина: 6079

Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: IGBT, N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 10V ~ 35V, Логічна напруга - VIL, VIH: 2.4V, 2.7V,

IXDN409CI

частина: 6527

Керована конфігурація: Low-Side, Тип каналу: Single, Кількість водіїв: 1, Тип воріт: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4.5V ~ 35V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 3.5V,

IXDD514SIAT/R

частина: 6272

Керована конфігурація: Low-Side, Тип каналу: Single, Кількість водіїв: 1, Тип воріт: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4.5V ~ 30V, Логічна напруга - VIL, VIH: 1V, 2.5V,

IXDD414SI

частина: 6080

Керована конфігурація: Low-Side, Тип каналу: Single, Кількість водіїв: 1, Тип воріт: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4.5V ~ 35V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 3.5V,