Транзистори - транзистори, транзистори MOSF - один

IXFX120N25

частина: 4209

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 250V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 120A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 500mA, 10V,

IXTV280N055TS

частина: 440

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 280A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 50A, 10V,

IXFV12N80P

частина: 421

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 800V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 12A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 500mA, 10V,

IXTP55N075T

частина: 6104

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 75V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 55A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5 mOhm @ 27.5A, 10V,

IXTP240N055T

частина: 461

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 240A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 25A, 10V,

IXFV20N80PS

частина: 381

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 800V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 20A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520 mOhm @ 10A, 10V,

IXTA180N085T7

частина: 383

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 85V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 180A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 25A, 10V,

IXTH152N085T

частина: 450

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 85V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 152A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 25A, 10V,

IXFV52N30PS

частина: 409

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 300V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 52A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66 mOhm @ 500mA, 10V,

IXTH12N120

частина: 433

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 12A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 6A, 10V,

VMO80-05P1

частина: 407

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide),

IXFR26N60Q

частина: 5280

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 23A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 13A, 10V,

IXTV200N10TS

частина: 388

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 200A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 50A, 10V,

IXFR52N30Q

частина: 5418

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 300V,

IXTV250N075T

частина: 6039

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 75V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 250A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 50A, 10V,

IXTH88N15

частина: 458

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 150V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 88A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 44A, 10V,

IXTA182N055T7

частина: 396

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 182A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 25A, 10V,

IXFK73N30Q

частина: 4446

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 300V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 73A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 500mA, 10V,

IXFR32N50Q

частина: 5302

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 30A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 16A, 10V,

IXTA220N055T7

частина: 5698

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 220A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 25A, 10V,

IXFH21N50Q

частина: 9114

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 21A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 10.5A, 10V,

IXFN280N085

частина: 1970

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 85V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 280A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 100A, 10V,

IXTQ182N055T

частина: 373

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 182A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 25A, 10V,

IXTP90N055T

частина: 412

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 90A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8 mOhm @ 25A, 10V,

IXFV110N10PS

частина: 364

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 110A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 500mA, 10V,

IXTP70N085T

частина: 427

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 85V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 70A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 25A, 10V,

IXFV14N80PS

частина: 5638

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 800V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 14A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720 mOhm @ 500mA, 10V,

IXFH24N50Q

частина: 8665

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 24A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 12A, 10V,

IXTP200N085T

частина: 448

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 85V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 200A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 25A, 10V,

IXFH40N50Q2

частина: 425

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 40A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 500mA, 10V,

IXFX180N085

частина: 4413

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 85V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 180A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 500mA, 10V,

IXTC160N085T

частина: 444

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 85V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 110A (Tc),

IXFC96N15P

частина: 361

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 150V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 42A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 48A, 10V,

IXTP98N075T

частина: 406

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 75V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 98A (Tc), Приводна напруга: 10V,

IXCP01N90E

частина: 398

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 900V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 250mA (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 Ohm @ 50mA, 10V,

IXKT70N60C5-TRL

частина: 4394