Пам'ять | Інтегральні схеми (ІС) | 100

IS61LV5128AL-10BI-TR

частина: 7535

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4Mb (512K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S32400B-6T

частина: 5603

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 128Mb (4M x 32), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS62WV5128BLL-55HI-TR

частина: 8651

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4Mb (512K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61LV5128AL-10BI

частина: 7487

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4Mb (512K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61LV25616AL-10T

частина: 7515

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4Mb (256K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S16160B-7BL

частина: 3836

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 143MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S32800B-7T

частина: 6094

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 256Mb (8M x 32), Тактова частота: 143MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS62C1024AL-35TI-TR

частина: 8144

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 1Mb (128K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 35ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S16400D-7BL-TR

частина: 5018

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 64Mb (4M x 16), Тактова частота: 143MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61LPS12836A-200B2I

частина: 7054

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (128K x 36), Тактова частота: 200MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S32200C1-6T-TR

частина: 5327

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 64Mb (2M x 32), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61LPD51236A-200B3-TR

частина: 6965

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (512K x 36), Тактова частота: 200MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S16100C1-5T-TR

частина: 4379

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Тактова частота: 200MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S16160B-7B

частина: 4737

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 143MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43R86400D-6BLI-TR

частина: 8164

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 512Mb (64M x 8), Тактова частота: 166MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S32800B-7BLI-TR

частина: 6031

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 256Mb (8M x 32), Тактова частота: 143MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61NLP25636A-200B3I

частина: 7924

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (256K x 36), Тактова частота: 200MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61LV5128AL-10K-TR

частина: 7615

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4Mb (512K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS63LV1024L-10T-TR

частина: 8859

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 1Mb (128K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61LPS25618A-200B2LI

частина: 1946

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (256K x 18), Тактова частота: 200MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42VS16100C1-10TI-TR

частина: 8676

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Тактова частота: 100MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS64WV25616EDBLL-10BLA3-TR

частина: 10374

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4Mb (256K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S83200B-7TI

частина: 6298

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 256Mb (32M x 8), Тактова частота: 143MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S32800B-6T-TR

частина: 6018

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 256Mb (8M x 32), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S83200B-7TL-TR

частина: 6245

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 256Mb (32M x 8), Тактова частота: 143MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S16800D-6T

частина: 5131

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 128Mb (8M x 16), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S32200C1-7T

частина: 5449

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 64Mb (2M x 32), Тактова частота: 143MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S16800D-7B-TR

частина: 5117

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 128Mb (8M x 16), Тактова частота: 143MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61LV12816L-10LQI

частина: 7317

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 2Mb (128K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61LPS25636A-200B3I-TR

частина: 7122

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (256K x 36), Тактова частота: 200MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61LV12824-10TQI-TR

частина: 9567

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 3Mb (128K x 24), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS62WV51216BLL-55BI

частина: 8599

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 8Mb (512K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS63LV1024-8KI

частина: 8714

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 1Mb (128K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 8ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61NLP25636A-200B3I-TR

частина: 7859

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (256K x 36), Тактова частота: 200MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS41LV16100B-60TL

частина: 4087

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: DRAM - EDO, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16),

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S16100C1-7BLI

частина: 4463

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Тактова частота: 143MHz,

Список побажань