Пам'ять | Інтегральні схеми (ІС) | 100

70V7319S133BF

частина: 852

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (256K x 18), Тактова частота: 133MHz,

Список побажань

IDT, Integrated Device Technology Inc

70V3589S133BF

частина: 789

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 2Mb (64K x 36), Тактова частота: 133MHz,

Список побажань

IDT, Integrated Device Technology Inc

70V7339S166BC8

частина: 177

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (512K x 18), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань

IDT, Integrated Device Technology Inc

70V639S12BF

частина: 811

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 2.25Mb (128K x 18), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 12ns,

Список побажань

IDT, Integrated Device Technology Inc

70V7519S166BC8

частина: 859

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (256K x 36), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань

IDT, Integrated Device Technology Inc

70V7339S166BF8

частина: 820

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (512K x 18), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань

IDT, Integrated Device Technology Inc

70V658S12BF

частина: 813

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 2Mb (64K x 36), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 12ns,

Список побажань

IDT, Integrated Device Technology Inc

70V658S12BC

частина: 825

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 2Mb (64K x 36), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 12ns,

Список побажань

IDT, Integrated Device Technology Inc

70V7339S166BFG8

частина: 829

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (512K x 18), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань

IDT, Integrated Device Technology Inc

70V7519S166BF8

частина: 832

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (256K x 36), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань

IDT, Integrated Device Technology Inc

70T3319S166BC8

частина: 830

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (256K x 18), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань

IDT, Integrated Device Technology Inc

70T3319S166BF8

частина: 844

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (256K x 18), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань

IDT, Integrated Device Technology Inc

70T3319S166BFG8

частина: 839

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (256K x 18), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань

IDT, Integrated Device Technology Inc

70T3599S166BC8

частина: 840

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (128K x 36), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань

IDT, Integrated Device Technology Inc

70T3599S133BFGI8

частина: 824

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (128K x 36), Тактова частота: 133MHz,

Список побажань

IDT, Integrated Device Technology Inc

70T3599S166BF8

частина: 842

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (128K x 36), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань

IDT, Integrated Device Technology Inc

7027S55G

частина: 833

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 512Kb (32K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

Список побажань

IDT, Integrated Device Technology Inc

70T631S15BF8

частина: 882

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (256K x 18), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

IDT, Integrated Device Technology Inc

70V631S15BC8

частина: 832

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (256K x 18), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

IDT, Integrated Device Technology Inc

70V659S15BC8

частина: 823

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (128K x 36), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

IDT, Integrated Device Technology Inc

70V631S15BF8

частина: 809

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (256K x 18), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

IDT, Integrated Device Technology Inc

70V659S15BF8

частина: 852

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (128K x 36), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

IDT, Integrated Device Technology Inc

70T659S15BC8

частина: 814

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (128K x 36), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

IDT, Integrated Device Technology Inc

7132LA100CB

частина: 835

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Kb (2K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 100ns,

Список побажань

IDT, Integrated Device Technology Inc

7142LA100CB

частина: 860

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Kb (2K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 100ns,

Список побажань

IDT, Integrated Device Technology Inc

7134LA70CB

частина: 866

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 32Kb (4K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

Список побажань

IDT, Integrated Device Technology Inc

7008S35G

частина: 845

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 512Kb (64K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 35ns,

Список побажань

IDT, Integrated Device Technology Inc

70T3589S166BC

частина: 897

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 2Mb (64K x 36), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань

IDT, Integrated Device Technology Inc

70T3589S166BF

частина: 872

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 2Mb (64K x 36), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань

IDT, Integrated Device Technology Inc

70T3399S166BC

частина: 865

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 2Mb (128K x 18), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань

IDT, Integrated Device Technology Inc

70V639S15BF

частина: 893

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 2.25Mb (128K x 18), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

IDT, Integrated Device Technology Inc

70V658S15BF

частина: 870

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 2Mb (64K x 36), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

IDT, Integrated Device Technology Inc

70V658S15BC

частина: 871

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 2Mb (64K x 36), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

IDT, Integrated Device Technology Inc

70V7519S133BF8

частина: 901

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (256K x 36), Тактова частота: 133MHz,

Список побажань

IDT, Integrated Device Technology Inc

70V7339S133BF8

частина: 859

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (512K x 18), Тактова частота: 133MHz,

Список побажань

IDT, Integrated Device Technology Inc

70V7519S133BC8

частина: 849

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (256K x 36), Тактова частота: 133MHz,

Список побажань