Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: IGBT, N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 10V ~ 20V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2.9V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Synchronous, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: IGBT, N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 10V ~ 20V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2.9V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Synchronous, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: IGBT, N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 5V ~ 20V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2.9V,
Керована конфігурація: Low-Side, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: IGBT, N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 6V ~ 20V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: IGBT, N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 10V ~ 20V, Логічна напруга - VIL, VIH: 6V, 9.5V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: IGBT, N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 10V ~ 20V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.7V, 2.3V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: IGBT, N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 10V ~ 20V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Synchronous, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 10V ~ 15.6V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Synchronous, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: IGBT, N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 10V ~ 20V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 3V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 10V ~ 20V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
Керована конфігурація: High-Side or Low-Side, Тип каналу: Single, Кількість водіїв: 1, Тип воріт: IGBT, N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 12V ~ 20V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 3V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Synchronous, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 10V ~ 15.4V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: IGBT, N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 10V ~ 20V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 3V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: IGBT, N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 10V ~ 20V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: IGBT, N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 10V ~ 20V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 10V ~ 20V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.7V, 2.2V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: IGBT, N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 10V ~ 20V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2.3V,
Керована конфігурація: High-Side, Тип каналу: Single, Кількість водіїв: 1, Тип воріт: IGBT, N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 10V ~ 20V, Логічна напруга - VIL, VIH: 6V, 9.5V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Synchronous, Кількість водіїв: 4, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 7V ~ 34V, Логічна напруга - VIL, VIH: 1V, 2V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 10V ~ 20V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Synchronous, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: IGBT, N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 10V ~ 20V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
Керована конфігурація: High-Side, Тип каналу: Single, Кількість водіїв: 1, Тип воріт: IGBT, N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 12V ~ 20V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
