Магнітні датчики - лінійні, компас (ІС)

TLE4998C3CHAMA1

частина: 19732

Технологія: Hall Effect, Вісь: Single, Тип виходу: PWM, Діапазон зондування: ±50mT, ±100mT, ±200mT, Напруга - живлення: 4.5V ~ 5.5V, Струм - живлення (макс.): 8mA,

TLE4998C8XUMA2

частина: 304

TLE5046ICPWMER050HALA1

частина: 330

Технологія: Hall Effect, Вісь: Single, Тип виходу: PWM,

TLE4998C8DXUMA2

частина: 332

TLE4998C3XALA1

частина: 21698

Технологія: Hall Effect, Вісь: Single, Тип виходу: PWM, Діапазон зондування: ±50mT, ±100mT, ±200mT, Напруга - живлення: 4.5V ~ 5.5V, Струм - живлення (макс.): 8mA,

TLE493DA2B6MS2GOTOBO1

частина: 266

Технологія: Hall Effect, Вісь: X, Y, Z, Тип виходу: I²C,

TLE4926CHTE6547HAMA1

частина: 24808

Технологія: Hall Effect, Напруга - живлення: 4.5V ~ 5.5V,

TLE4997A8XUMA1

частина: 33091

Технологія: Hall Effect, Вісь: Single, Тип виходу: Analog Voltage, Діапазон зондування: ±50mT ~ ±200mT, Напруга - живлення: 4.5V ~ 5.5V, Струм - живлення (макс.): 10mA,

TLE4998S4HALA1

частина: 25733

Технологія: Hall Effect, Вісь: Single, Тип виходу: SENT, Діапазон зондування: ±50mT, ±100mT, ±200mT, Напруга - живлення: 4.5V ~ 5.5V, Струм - живлення (макс.): 8mA,

TLE4998P4HALA1

частина: 27098

Технологія: Hall Effect, Вісь: Single, Тип виходу: PWM, Діапазон зондування: ±50mT, ±100mT, ±200mT, Напруга - живлення: 4.5V ~ 5.5V, Струм - живлення (макс.): 8mA,

TLE4998P3XALA1

частина: 26773

Технологія: Hall Effect, Вісь: Single, Тип виходу: PWM, Діапазон зондування: ±50mT, ±100mT, ±200mT, Напруга - живлення: 4.5V ~ 5.5V, Струм - живлення (макс.): 8mA,

TLE5046ICAKLRHALA1

частина: 48597

TLE4997A8DXUMA1

частина: 19783

Технологія: Hall Effect, Вісь: Single, Тип виходу: Analog Voltage, Діапазон зондування: ±50mT ~ ±200mT, Напруга - живлення: 4.5V ~ 5.5V, Струм - живлення (макс.): 10mA,

TLE5009A16E1200XUMA1

частина: 36279

TLE5009A16E2210XUMA1

частина: 31255

TLE5009A16E1210XUMA1

частина: 31264

TLE4998S3XALA1

частина: 25815

Технологія: Hall Effect, Вісь: Single, Тип виходу: SENT, Діапазон зондування: ±50mT, ±100mT, ±200mT, Напруга - живлення: 4.5V ~ 5.5V, Струм - живлення (макс.): 8mA,

TLE5045ICR050HALA1

частина: 287

Технологія: Hall Effect, Вісь: Single, Тип виходу: PWM,

TLE4998P3CHAMA1

частина: 19895

Технологія: Hall Effect, Вісь: Single, Тип виходу: PWM, Діапазон зондування: ±50mT, ±100mT, ±200mT, Напруга - живлення: 4.5V ~ 5.5V, Струм - живлення (макс.): 8mA,

TLE4998P8XUMA1

частина: 39628

Технологія: Hall Effect, Вісь: Single, Тип виходу: Open Drain, PWM, Діапазон зондування: ±50mT ~ ±200mT, Напруга - живлення: 4.5V ~ 5.5V, Струм - живлення (макс.): 8mA,

TLE493DW2B6A1HTSA1

частина: 9929

Технологія: Hall Effect, Вісь: X, Y, Тип виходу: I²C, Діапазон зондування: ±160mT ~ ±230mT, Напруга - живлення: 2.8V ~ 3.5V, Струм - живлення (макс.): 0.13µA,

TLE4997E2XALA1

частина: 21612

Технологія: Hall Effect, Вісь: Single, Тип виходу: Analog Voltage, Діапазон зондування: Unlimited, Напруга - живлення: 4.5V ~ 5.5V, Струм - живлення (макс.): 10mA,